單位：百萬元

註：2002年稅後EPS以目前股本計。

股價評論

全新光電91年1月24日以23元掛牌上市，資本額7.79億元，最大股東為英誌7.98﹪。公司以MOCVD為核心技術，為台灣具備MOCVD量產能力的專業磊晶領導廠，目前主要從事微波通訊元件及光電子元件之上游磊晶片製造。全新研發團隊實力堅強，目前產品為LD比重佔40﹪，HBT與PHEMT佔54﹪，其餘包括LED、VCSEL等產品。

目前全新共17台MOCVD機台，其客戶結構為美國及日本市場各佔45﹪，國內為10﹪。砷化鎵產業雖於2001年因手機庫存調整及全球不景氣，出現10.9﹪的負成長，但根據Semiconductor FPD World的資料顯示，砷化鎵2002年起將呈現逐步成長的趨勢，預估到2004年時全球市場規模，將由2001年的15.4億美元，成長至27.96億美元，其三年的複合成長率為27.2﹪。

全新2001年營收估計5.15億元，稅後EPS為0.54元。2002年全新除擴大既有的HBT磊晶片及LD等產品市場外，將朝無線通訊、光纖通訊、光資訊儲存，三大產品領域開發，預估全新今年營收為6.2億元，稅後EPS為0.94元，上市本益比約24.5倍，由於未來5年砷化鎵產業將持續成長，且全新因技術領先，並具有產業競爭優勢，因此建議買進長期投資。

投資重點

全新光電公司概況：

全新光電是以MOCVD（有機金屬氣相沈積）為核心技術，為台灣具備MOCVD量產能力的專業磊晶領導廠，目前主要從事微波通訊元件及光電子元件之上游磊晶片製造。公司成立於85年11月，目前資本額7.79億元，公司主要法人股東為英誌7.98﹪、和光光學6.43﹪、盛利投資3.85﹪、華陽中小企業開發3.24﹪、倍強科技1.94﹪等，而全體董監事持股約29.24﹪，其中法人股東超過一半。

新研發團隊為總經理林昆泉博士所帶領，研發實力堅強，林博士畢業於交大電子研究所，為交大MOCVD實驗室創始室長，10餘年前即從事砷化鎵相關領域的研究，曾任職於漢威光電與陽智科技。全新的研發團隊另有楊懷東副總，為美國南美以美電機博士，曾任職於Rockwell、Tecstar和Hughes等公司，其量產經驗相當豐富。

全新目前的產品結構：

全新的產品主要以雷射二極體（LD）、砷化鎵異質介面雙極電晶體（HBT）與應變式高電子遷移率電晶體（PHEMT）磊晶片等生產為主，目前LD比重佔40﹪，HBT與PHEMT則佔54﹪，其餘則包括如發光二極體（LED）、面射型雷射（VCSEL）等產品。全新在無線通訊領域發展主要投產應用於功率放大器（PA）的HBT磊晶片投產為主，2001年佔整體營收約53.7﹪，因應客戶需求，PHEMT磊晶片也已進入量產，然目前量還不大，約佔0.06﹪；而LD主要應用於DVD讀寫頭等；在光通訊領域部份，目前也已開發出波長850nm的垂直共振腔面射型雷射（VCSEL），未來也將導入1550nm的LD生產。全新的各項產品別中，砷化鎵的比重逐年提高，89年最高至88.3﹪，90年因無線通訊市場景氣不振，故調整產品結構，提高LD比重至40﹪，而砷化鎵降為54﹪，但未來將再逐年提高。

全新目前產能現況：

目前全新有兩座廠房，龍潭一廠有5台4吋MOCVD設備，其中3台全面量產，單機台最大產能1000-1500片，另2台為研發及送樣機台，；而平鎮二廠目前有12台設備，其中1台4吋用於研發，其餘皆為6吋機台，目前3台供作量產用，單機可月產6吋HBT 600-800片，故目前全新共17台MOCVD機台，二廠最大可再擴增6台，未來兩座廠合計可達23台。

全新於2001年受全球景氣發展遲緩等因素影響，使產能利用率相對偏低，統計2001年上半年產能利用率約40﹪，然下半年卻下滑至11﹪左右，整年產能利用率平均僅達25﹪。而2002年在上游零組件庫存逐漸去化及景氣逐漸回升影響，估計2002年產能利用率可逐步回升。

全新的客戶結構及銷售地區：

全新主要產品為微波通訊元件、光電子元件之磊晶片，其產品應用範圍涵蓋無線通訊、網路、光纖、衛星通訊等，其產業為上游之磊晶片製造商，故客戶大都為化合物半導體之IDM廠、晶圓代工等國內外知名大廠，去年12月宣佈合併的Conexant無線通訊部門與Alpha Industries的無線通訊元件大廠即為全新客戶，台灣方面則包含穩懋、鼎元等，而主要客戶佔營收比重為O-012（59.6﹪）、O-021（20.02﹪）、O-0.20（12.51﹪）、O-018（4.03﹪）、O-010（3.27﹪）等。其產品主要銷售地區為美國及日本市場各佔45﹪，國內為10﹪，其中，美系客戶主推HBT磊晶片單一化產品，而日系客戶強調複合式全方位服務，故採HBT搭配PHEMT推廣。

圖一：未來五年砷化鎵市場規模預估趨勢圖

資料來源：Senmconductor FPD World,2001/10

台灣砷化鎵產業前景分析：

砷化鎵產業雖於2001年因手機庫存調整及全球性不景氣下，出現10.9﹪的負成長，但根據Semiconductor FPD World的調查資料顯示，砷化鎵以其無線通訊上的優異特性，在手機、衛星通訊、光通訊網路等通訊市場需求持續擴大，2002年起將呈現逐步成長的趨勢，預估到2004年時全球砷化鎵市場規模，將由2001年的15.4億美元，成長至27.96億元，成長率分別為11.10﹪、23.32﹪及32.51﹪，詳見圖一。

而台灣砷化鎵產業在前一波熱潮中吸引眾多廠商投入，已形成完整的產業供應鏈，未來隨著台灣廠商大舉進入手機代工產業，並逐漸發展出ODM的研發自主模式，取得零組件採購權之後，台灣手機代工廠商就可以就近取得較低的成本，發展出更具競爭力的產品，整體供應鏈產生群聚效應後，將使台灣砷化鎵產業相當有機會隨矽產業的模式，出現高度的發展潛力。

III-V族磊晶片產業競爭概況：

目前全球提供III-V族磊晶片競爭廠商大致可區分為微波通訊元件（HBT、PHEMT等）與光電子元件（LD、LED等）兩大類。微波通訊方面，國外有Kopin（美）、IQE（英）、Hitachi Cable（日）、Picogiga（法）；國內為全新、國聯、博達、勝陽、華森晶磊、聯銓、巨鎵、元砷等，詳見表一、表二。

光電子元件方面，因全球9成以上光碟機讀取頭生產集中於日商，故競爭廠商前幾大廠皆為日商，有Sharp、Rohm、Sony、Sanyo等，國內則有國聯、晶元、友嘉、勝陽、嘉信等。全新目前在砷化鎵微波通訊元件磊晶片生產廠商中，最大競爭者為美商Kopin，主要以MOCVD磊晶技術生產HBT磊晶片，其餘國外競爭者尚包括以MOCVD磊晶技術，主要產品為PHEMT的日商Hitachi Cable，以及全球PHEMT最大供應商法商Picogiga；而國內最大競爭對手為博達，目前主要磊晶技術為MBE以生產PHEMT為主。

表一、國外主要砷化鎵上游磊晶生產廠商比較：

資料來源：GaAs Net、III-Vs Review Vol.13-No.4-2000

表二、台灣砷化鎵上游磊晶廠商比較表：

資料來源：電子時報2001/1

全新的競爭優勢：

砷化鎵產業首先需面對的門檻是產品技術的突破，依目前各廠過去的學習曲線觀察，從開始產品研發到樣品出爐，需費時至少1-2年，之後還需經客戶的產品認證，另外，致力於良率的提昇，也需要花費一段時間，因此，總計投入到開始量產出貨，至少需1年半以上，全新為最早投入量產的廠商，先天上就先佔的優勢。砷化鎵屬於技術密集的產業，而台灣這方面的人才少，所以如何掌握並培養人才，對廠商是相當重要的課題，而這也是構成相當高的進入障礙。

此外，整體設備的搭配也很重要，因此即使有良好的生產技術，但生產設備基礎建設若不完善，也會拉長生產時間，尤其砷化鎵的應用領域仍有相當大的開發空間，因此優良的生產及研發技術，再搭配完整的生產設備基礎建設，才能縮短產品從試產到量產的時程。目前砷化鎵仍屬於較封閉的產業結構，多數的產業力量仍集中於IDM廠，砷化鎵產業從產品設計到晶圓製程，多數仍掌握在Conexant、RF MD、Motorola、Anadigic等IDM大廠手上，因此砷化鎵上游往往需要得到大廠認證，發展空間才會大。綜觀全新最大的競爭優勢在於擁有完整的化合物磊晶技術及豐富經驗的MOCVD磊晶研發團隊，設備最多且有完整的廠房設計，再加上下游掌握度高，與產業之高進入門檻，其產品更是全新獨自開發完成，皆使全新較同業更具備競爭優勢。

2001年營運實績及2002年營收、獲利展望：

2001年全新營收初估為5.15億元，稅後淨利4200萬元，稅後EPS為0.54元。2002年全新除擴大既有的HBT磊晶片及LD等產品市場外，將朝無線通訊、光資訊儲存、光纖通訊，三大產品領域開發；配合新產品如PHEMT磊晶片、光通訊用的波長650nm的LD磊晶片逐漸進入量產，預估全新2002年包括HBT、PHEMT等磊晶片將佔60﹪左右的營收，而LD約佔35﹪。

主要除歐美及日本等客戶外，因應台灣砷化鎵晶圓製程業者發展不斷成熟，後續也將擴大對台灣市場的經營。預估全新2002年營收為6.2億元，稅後EPS為0.94元，上市本益比約24.5倍，由於未來5年砷化鎵產業將持續成長，且全新因技術領先，並具有競爭優勢，因此建議買進長期投資。