MoneyDJ新聞 2020-08-31 12:02:46 記者 李彥瑾 報導
全球DRAM晶片製程技術持續進化。據韓媒報導，南韓半導體巨頭三星電子(Samsung Electronics)開出業界第一槍，順利使用極紫外光(EUV)微影技術來量產第三代10奈米級(1z奈米)LPDDR5 DRAM晶片，有望將DRAM製程向個位數奈米製程推進。
《BusinessKorea》31日報導，三星8月30日宣佈，位於南韓平澤市的第二條半導體生產線，率先量產全球最先進的第三代10奈米級LPDDR5 DRAM晶片，擁有業界最高水準的容量和速度。
今年2月，三星已使用第二代10奈米級(1y奈米)製程技術量產16GB LPDDR5 DRAM。短短6個月後，該公司便進一步強化高階行動DRAM的產品陣容，並成功導入新一代晶片生產技術。
SK海力士(SK Hynix)為全球第二大DRAM廠，市佔率僅次於三星。報導指出，SK海力士正在研發以EUV技術生產第4代10奈米級製程(1a奈米)的DRAM，目標是在2021年實現量產，進度大約較三星落後半年至1年。
根據全球市場研究機構集邦科技(TrendForce)的數據，全球DRAM市場由三星和SK海力士穩居冠亞軍，第二季市佔率分別達到43.5%、30.1%。
三星最新第三代10奈米級LPDDR5 DRAM晶片，傳輸速度最高可達6,400MB/s，比目前市面上旗艦級手機所用的12GB LPDDR5行動DRAM(5,500MB/s)快16%。據三星表示，搭載16 GB記憶體的智慧型手機，每秒可傳送51.2GB的資料，約相當於10部Full HD電影。
市場研究機構IC Insights 8月20日發表研究報告指出，受武漢肺炎疫情影響，全球主要DRAM製造廠對市場持續保持謹慎態度，今年全球DRAM廠資本支出將比去年大幅衰退，跌幅估計達到20%。
其中，全球DRAM龍頭三星電子今年DRAM資本支出預計將下滑21%至49億美元；SK海力士的DRAM資本支出也將下滑38%，至40億美元。
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