精實新聞 2011-08-15 13:07:02 記者 楊曉芳 報導
台積電(2330)轉投資公司Bridgelux今早在美國發表其氮化鎵上矽（GaN-on-Si）新技術，且Bridgelux執行長 Bill Watkins 亦指出，將透過與知名半導體製造商的合作，進一步利用舊有半導體晶圓廠，對製造成本、利潤與資本報酬率造成正面影響。市場推估該新技術將由今年8月1日正式成立的台積電固態照明公司取得。
Bridgelux執行長Bill Watkins 表示，採用輕資產營運模式的Bridgelux將從矽基板的轉換取得獨特優勢，該公司可利用自身LED磊晶研發與智慧財產權優勢，與半導體製造商洽談結盟，這項技術性突破成就源自Bridgelux持續投資研發並且專注固態照明市場的需求，而這項關鍵技術足以改變整個產業，可大幅減少固態照明產品的初期投入資金，並且因此大幅提昇市場接受速度。
今年8月1日正式成立的台積電固態照明公司其在業界低調神秘，即便是素有LED教父之稱的億光(2393)暨泰谷(3339)董事長葉寅夫都坦言，台積電這次低調行事，因此對台積電進入LED產業對產業生態的影響無從判斷。然而，Bridgelux身為台積電固態照明公司兄弟公司，其技術發表且宣布授權合作，讓目前正處於藍寶石或碳化矽基板作為原料的台灣磊晶廠晶電(2448)、泰谷、璨圓(3061)、隆達(3698) 無不高度關注這項技術後續發展。
Bridgelux指出，利用獨家緩衝層技術，成功在8吋矽晶圓生成無裂痕氮化鎵層，並且不會在室溫下彎曲變形，進一步擴大該公司提升矽基板氮化鎵LED效能與可製造性的領先幅度。Bridgelux也自信技術發展具備大幅降低LED製造成本的潛力，使其得以與傳統白光照明技術競爭。
相較於目前LED主流基板，藍寶石或碳化矽基板作為原料，Bridgelux認為，目前這兩傳統基板都比矽基板昂貴許多。因此，製作成本導致LED照明產品無法普及到住宅與商業建築。然而在直徑更大、成本低廉的矽晶圓上長成氮化鎵，並採用與現代半導體生產線相容的製程，其成本會比現有製程減少75%。Bridgelux的技術發展具備大幅降低LED製造成本的潛力，使其得以與傳統白光照明技術競爭。
據瞭解，氮化鎵的熱膨脹係數遠大過矽。這種不協調的狀況可能會在晶膜成長時或室溫下導致磊晶膜破裂或晶圓彎曲變形。Bridgelux的獨家緩衝層技術可產出在室溫狀態依然平滑的無裂痕晶圓。
採用350mA電流的1.5mm封裝藍光LED可發出591微瓦的亮度，其插座效率高達59%，超越所有已公布數值。此種LED擁有極低的運作電壓，350mA電流的電壓只有2.85伏特，因此非常適用於高電流密度環境。在1安培電流下，這些LED的藍光亮度為1.52瓦，運作電壓是3.21伏特，其插座效率為47%。波長中值為455nm的8吋LED晶圓已經具備sigma 6.8nm的波長均勻度。
