陸記憶體元年美夢碎?韓專家:量產恐延至明年或更晚

2019/01/10 11:12

MoneyDJ新聞 2019-01-10 11:12:46 記者 陳苓 報導

外界原本估計2019年是「中國記憶體元年」,中國三大記憶體廠商都將在今年投產,帶動半導體產業起飛。但是美國科技禁售令和國際半導體市場低迷,重創中國。部分人士預測,陸廠量產時間將被迫延後至明年、甚至更晚。

韓媒BusinessKorea 10日報導,中國三大記憶體業者中,長江存儲(Yangtze Memory Technology)主要發展NAND flash、福建晉華(Fujian Jinhua)發展伺服器DRAM、合肥長鑫(Innotron)主攻行動DRAM,先前傳出三廠都有望在今年投產,如今情況改變。

韓國半導體業協會(Korea Semiconductor Industry Association)執行董事Ahn Ki-hyun9日表示,企業的真正競爭實力在衰退時顯露,中國晶片廠已因美國管制遭逢困難,產業低潮會讓陸廠再受打擊。就算中國政府不計成本發展半導體,記憶體需求放緩仍會迫使陸廠減緩投資。

Ahn並說,一旦晶片廠價格戰開打,陸廠技術和成本競爭力較弱,別無選擇只能蒙受巨大虧損。陸廠有朝一日會追上韓廠,但是這天來臨的時間再往後延。目前以NAND flash來說,韓廠已研發出90層NAND,陸廠只有32層產品,而且因良率問題尚未量產。DRAM方面,陸廠還未準備好發布產品、量產之日仍遙遙無期。

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