精實新聞 2013-08-06 08:12:24 記者 賴宏昌 報導
日本經濟新聞6日報導，東芝(Toshiba Corp.)、SanDisk Corp.計畫攜手投資4千億日圓在日本三重縣四日市興建NAND Flash新廠，將製程技術自目前的19奈米提升至16-17奈米。報導指出，新廠預計在最快在下個會計年度(2014年4月起)開始量產，屆時12吋晶圓月產能將可較目前的45萬片提升約20%。
這將是近兩年來東芝首度做出增產決定。根據IHS Global的統計，以2012年出貨量來計算，三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)、東芝的NAND Flash全球市佔率分別達到37%、31%。拜弱勢日圓、蘋果(Apple Inc.)以及中國大陸廠商下單量攀升之賜，東芝快閃記憶體廠自春季以來即處於產能滿載狀態。
三星電子7月26日宣佈，今年資本支出預估將較2012年高出逾1兆韓圜至創紀錄的24兆韓圜、高於原先預期；半導體、顯示面板今年預估將分別動用13兆、6.5兆韓圜。資本支出預算調高主要是為了要強化三星在高附加價值DRAM、NAND以及系統LSI產品的競爭優勢。
費城半導體指數成分股SanDisk 5日下跌1.51%，收57.42美元。Flash Forward, Ltd.是東芝、SanDisk的合資企業，兩家公司各持有50.1%、49.9%股權。
