傳三星8層HBM3E通過輝達驗證、估Q4開始供貨

2024/08/07 10:37

MoneyDJ新聞 2024-08-07 10:37:09 記者 郭妍希 報導

市場傳出,三星電子(Samsung Electronics)第五代高頻寬記憶體(HBM)晶片「HBM3E」已通過輝達(Nvidia Corp.)驗證,可用於AI處理器。

路透社6日獨家引述未具名消息人士報導,三星、輝達尚未針對通過驗證的8層堆疊HBM3E敲定供應合約,但雙方應該很快就會簽約,預計今(2024)年第四季就會開始供貨。

不過,據消息,三星的12層堆疊HBM3E仍未通過輝達驗證。三星、輝達都不願發表評論。

5月曾有消息傳出,過熱及功耗問題會影響三星第四代HBM晶片「HBM3」,以及三星和對手預定今年上市的第五代「HBM3E」。

輝達最近已認證,三星的HBM3可用於複雜度沒那麼高、專為中國市場開發的處理器。三星7月預測,第四季HBM營收約60%將由HBM3E貢獻。

目前全球僅有三家HBM製造商,分別是SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)及三星。SK海力士一直是輝達主要的HBM晶片供應者,美光也說會供應HBM3E給輝達。

輝達必下單三星HBM?韓媒:CoWoS因中介層受限

韓媒先前曾分析,三星HBM終將獲得輝達認證,先進封裝的中介層(Interposer)短缺是主因。

南韓媒體《The Elec》6月20日報導,台積電(2330)「CoWoS」先進封裝產能短缺,是輝達「H100」、「H200」生產遇瓶頸的主因。雖然台積電正在積極擴充CoWoS產能,封裝過程需要的矽中介層(silicon interposer)情況卻不同。

台積電由於產能短缺,決定轉向聯電(2303)等業者採購中介層,但這僅能解決短期內的問題。新的封裝技術,像是台積電的CoWoS-L (只在必要區域局部置入中介層)未來必須商業化,但其技術精密度等同前端製程。

The Elec直指,中介層供給短缺,很可能是輝達最終勢必得將部分訂單下給三星的理由。三星是少數幾家能夠自行設計、生產中介層的晶片製造商,該公司還同時擁有HBM、2.5D封裝產能。三星6月稍早也強調,該公司是唯一一家能同時提供記憶體、中介層、封裝等一站式服務的業者。

(圖片來源:三星電子)

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