精實新聞 2011-09-22 10:48:09 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)於美東時間21日晚間10點整發布新聞稿宣布，最新位於南韓京畿道華城市的NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠房「Line-16」已開始運作。三星同時還宣布量產業界首款採用20奈米製程技術的DDR3 DRAM，這款DRAM可大幅提升系統效能並降低耗電量。
三星指出，Line-16的總投資額預計將達12兆韓圜(104億美元)，已自9月份起開始量產高效能的20奈米製程NAND Flash，預期月產量可望超過10,000片12吋晶圓。三星將視需求提升NAND Flash產能，同時也會自明(2012)年起開始生產更為先進、採用10奈米製程技術的記憶體。
三星同時指出，20奈米製程的2GB DDR3 DRAM效能將較30奈米製程提升50%，耗電量則可減少最多40%。三星計畫在今年底前開發出採20奈米製程技術的4GB DDR3 DRAM，並在明年將產品組合拓展至4GB、8GB、16GB與32GB的DDR3模組。
