MoneyDJ新聞 2024-08-23 16:47:19 記者 新聞中心 報導
鴻海科技集團(2317)旗下鴻海研究院前瞻技術研發再度傳出捷報，鴻海研究院半導體所所長郭浩中及半導體所研究團隊，攜手陽明交大電子所團隊，在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破。研究成果提高了第四代半導體氧化鎵在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能，並已發表於國際頂級材料科學期刊Materials Today Advances (MATER TODAY ADV)。
鴻海研究院指出，本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，導入離子注入技術於異質磊晶生長的同質結氧化鎵PN二極體元件中，結果展示出優異的電性表現。氧化鎵在高壓及高溫應用領域的強大潛力，為未來高功率電子元件開闢新的可能性。
該研究成果已發表於國際頂級材料科學期刊「Materials Today Advances」。其在去(2023)年的影響力指數達到10.25，並在材料科學領域的 SJR (Scimago Journal & Country Rank) 中排名前25%，該期刊已成為促進全球科學家和工程師之間知識傳播與學術交流的重要平台。
鴻海研究院指出，第四代半導體氧化鎵因優異性能，被視為下一代半導體材料的代表。其擁有超寬能隙(4.8 eV)、超高臨界擊穿場強(8 MV/cm)等特性，較現有的矽、碳化矽和氮化鎵等材料具有顯著優勢。這些特性使得氧化鎵特別適用於電動車、電網系統、航空航太等高功率應用場景。
此外，該技術突破，將為台灣在全球化合物半導體產業中的領先地位增添優勢，也為未來的高壓半導體應用開創新的可能。展望未來，鴻海研究院表示，隨著氧化鎵技術的進一步發展，可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領域中有更廣泛應用。鴻海研究院並將繼續致力於此領域的研究，為全球技術創新和產業進步做出更大貢獻。
