精實新聞 2014-02-24 16:16:21 記者 羅毓嘉 報導
III-V族化合物磊晶廠F-IET(英特磊, 4971)宣佈，與美國國防部簽署的長期供貨合約已完成續約，將在未來兩年內持續供應銻化鎵磊晶片給美國防部，做為強化與發展軍用設備之用。F-IET指出，獲得續約意味著F-IET的產品持續獲得美國國防部認可，品質獲得肯定，該筆合約每年將貢獻F-IET約200萬美元(約合新台幣6000萬元)營收。
F-IET採用MBE(分子束磊晶)技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，除砷化鎵應用於一般消費性電子產品之外，銻化鎵、磷化銦等磊晶產品，多數是應用在車用、衛星通訊、醫學用途、掃描偵測等利基型應用領域，其中尤以與美國國防部、NASA的合作案最獲矚目。
F-IET宣告，今年公司已經與美國國防部續簽每年約200萬美金的重要合約，未來兩年F-IET將繼續供應美國國防部銻化鎵紅外線磊晶片，做為強化及發展國防設備之用，投入包括夜視鏡、衛星通訊、國土監控、及太空軍事等相關項目的開發。
F-IET說明，相較於原先用在紅外線設備上的II-VI族化合物，銻化鎵所屬的III-V族化合物半導體可將陣列型(Focal Plane Array)紅外線偵測器做得更大，如此一來，便可大幅提升紅外線設備的影像解析度，近年來相關材料已經被廣泛運用在高端紅外線設備中。
事實上，目前F-IET成功開發出的全球首片6吋銻化鎵晶片，已超越原先美國國防部所要求的5吋規格研發目標，雙方延續合作供應關係，不僅意味著F-IET的產品品質獲得肯定，也代表F-IET持續投入研發能量已開花結果。
F-IET不僅與美國國防部延續關係，由美國太空總署(NASA)支持的小型企業創新研發(SBIR)二期計畫，也獲得認同，已獲得追加撥款、計畫服務時間也有所延長。
