MoneyDJ新聞 2026-09-18 10:22:47 數位內容中心 發佈
公準（3178）卡位ASML的High NA EUV零組件供應鏈，營運重心鎖定下一世代先進製程設備需求，跟隨台積電與ASML已敲定的導入時程，對應2030年起量產導入High NA技術的設備準備。公準所處位置在EUV機台零組件端，受惠方向來自微影設備升級與相關系統全面就緒的建置進程。
這波布局的關鍵不只在曝光機本體，更在High NA EUV光罩規格同步升級。台積電與ASML規劃推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標在2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前完成微影系統全面就緒。隨先進製程持續微縮，AI晶片電晶體架構更複雜，採用High NA EUV曝光的光罩層數也有增加空間，連帶帶動設備、次系統模組與關鍵零組件需求。
就台廠供應鏈分工來看，High NA相關商機已從光罩盒、自動化設備、模組代工、真空吸盤一路延伸到零組件與耗材。家登已取得High-NA EUV Pod認證，家碩參與光罩儲存、傳送及自動化方案開發，帆宣承接EUV模組代工，意德士供應晶圓真空吸盤，公準則位於零組件供應端。這使公準未來接單節奏，將更直接連結ASML新世代機台建置與客戶端量產導入進度。
以時程觀察，2030年是High NA EUV量產導入起點，2031年前有12吋光罩試產線建置目標，2033年前要完成微影系統全面就緒。公準現階段的產業位置，已切入ASML供應鏈名單，後續業務推進重點將放在High NA EUV零組件出貨節點與先進製程設備驗證進程，直接對應2030年量產導入、2031年前12吋光罩試產線、2033年前系統全面就緒三個具體時間點。
