日本政府計劃在北海道、東京都等地設置高階軟體設計與設備開發據點，以提升半導體產業競爭力
據日本經濟新聞本（2026）年2月26日報導，日本政府為厚植人工智慧（AI）先進半導體產業聚落，計畫加強與海外企業及研究機構合作，全面培育涵蓋設計、製造設備及材料領域之企業。官方將於北海道、東京都等地設立三處配備高階設計軟體與開發設備之據點，供新創企業及大學使用，並以台積電（TSMC）與Rapidus為核心，完善日本國內生產體系並提升國際競爭力。
上述三大據點將由日本經濟產業省（METI）主導，初步規劃情形摘要如下：
預計2026年秋季在東京都內針對控制機器人與機械設備的「實體AI（Physical AI）」等用途，開設設計支援據點，將配備先進產品開發不可或缺的自動化設計工具（EDA）與運算伺服器，並提供專業技術人員給予必要協助。
預計2029年在北海道千歲市的Rapidus工廠鄰近區域，引進荷蘭艾司摩爾（ASML）最新的極紫外光（EUV）曝光機，開設裝置與材料研發據點，以鼓勵企業開發能與該裝置配套使用的相關產品。
預計針對具備高速、低耗電特性的「化合物半導體」建置試作中心，提供多種材料測試所需的機器設備。以氮化鎵（GaN）半導體為例，將能大幅降低電力損耗，對於高耗能之AI資料中心伺服器、電動車（EV）及次世代通訊標準「6G」之應用備受各界期待。
鑑於先進半導體研發成本極高，已非單一企業所能負擔（如EDA工具需耗資數十億至數百億日圓，單台最新型曝光機造價亦達數百億日圓），故上述據點之建設費用將由日本政府編列之1,306億日圓預算及國立研究開發法人「產業技術綜合研究所（AIST）」資金支應，以降低企業與研究機構使用資源之成本及加速民間技術創新。
由於目前AI半導體設計領域由輝達（Nvidia）等巨頭主導，日企在該領域顯著落後；此外，日本長期具優勢之設備與材料領域，亦因中國企業崛起，市佔率面臨嚴峻萎縮壓力。儘管日本政府已投入鉅額補貼爭取台積電赴日設廠並支援Rapidus以強化國內量產能力，未來為進一步提升國際競爭力，擴大產業範疇與市場規模勢在必行。
媒體分析認為本次日本政府推動設置研發據點，旨在扶植具潛力進入台積電或Rapidus供應鏈之企業，後續若能催生具AI晶片設計能力之本土廠商，將可成為Rapidus委託生產的重要案源；另藉由扶植能對接先進製程之設備與材料商，則日本可望重新奪回全球主導權。惟回顧半導體產業發展歷程，日本半導體曾居全球龍頭，隨後因過度堅持「封閉式垂直整合」模式而衰退，未來如何打破企業壁壘並強化跨國技術協作，將是日本提升國際競爭力的關鍵因素。(資料來源：經濟部國際貿易署)
