MoneyDJ新聞 2026-04-15 10:00:18 周佩宇 發佈
中國記憶體廠長江存儲啟動新一輪擴產計畫，市場關注是否對NAND供需造成衝擊。不過，業界普遍認為，在AI應用帶動儲存需求爆發下，即使新增產能陸續開出，整體供需結構仍難出現反轉，短期內供給追不上需求的態勢不變，相關廠商包含控制晶片業者群聯(8299)，以及模組業者威剛(3260)、宜鼎(5289)、創見(2451)、宇瞻(8271)等。
根據外電報導，長江存儲除今年將完成一座新廠外，亦規劃再建兩座晶圓廠，三座廠全面投產後，總產能有望倍增。若以單廠滿載每月10萬片晶圓估算，未來整體產能規模將明顯提升，並同步強化與本土設備供應鏈合作，推進自主化布局。
不過，業界指出，半導體擴產從建廠、設備進駐到製程調校與良率提升，通常需時2至3年，實際產能對市場供給的影響具有時間落差，因此以目前時點來看，市場對供給過剩的疑慮並不成立。
更關鍵的是需求端的結構性轉變。隨AI發展由訓練階段邁入推論與代理AI，資料中心、雲端服務與企業級儲存需求快速放大，帶動NAND使用量呈現倍數成長。業界分析，這類需求並非傳統消費性電子循環，而是長期趨勢，成長速度遠高於供給擴張幅度，即便未來新增產能開出，仍難以填補需求缺口。
此外，中國本土市場對儲存需求長期維持高檔，涵蓋手機、PC、監控與AI應用等多元領域。業界認為，長江存儲新增產能優先供應內需市場，對全球供需結構影響相對有限，也進一步降低對國際市場價格造成壓力的可能性。
從產業供給面觀察，目前三星、SK海力士與美光等主要原廠在資本支出上仍維持審慎態度，並未出現全面性擴產潮。加上記憶體廠在投資回報考量下，普遍優先布局毛利較高的DRAM產品，使NAND擴產節奏相對保守，供給增速受到限制。業界指出，NAND供給是否能有效增加，最終仍取決於DRAM市場何時出現供給鬆動，釋出資本支出空間，NAND產能才有機會進一步擴張。
換言之，在DRAM仍處於供給緊張、且持續吸納資本支出的情況下，NAND擴產節奏將受到限制，短期內難以快速放量。市場預期，DRAM新產能量產時程多落在2027年下半年至2028年，屆時供給壓力若略為緩解，才可能帶動NAND投資轉向，但整體缺口仍難完全補足。
整體而言，業界認為，長江存儲擴廠反映的是對未來需求的提前布局，而非供需失衡的訊號。在AI推論與資料中心需求持續擴大的趨勢下，NAND市場供不應求的結構短期難以改變，2026年至2027年供需缺口甚至可能進一步擴大，目前仍無需過度擔憂產能過剩風險。
(附圖/資料庫)
