MoneyDJ新聞 2026-01-28 10:39:13 周佩宇 發佈
AI 應用快速擴張，HBM與高階儲存需求攀升，也改變記憶體產業供需結構。隨價格回溫、客戶拉貨態度轉趨積極，記憶體廠商對中長期需求能見度提高，台灣與國際記憶體廠今年同步拉高資本支出，反映對產業前景的信心，但在產能開出時程拉長、AI 排擠效應持續下，短期供給仍然受限，支撐今年市況維持相對緊俏。不過待 2 至 3 年後新產能陸續到位，屆時供需結構與競爭態勢，將成為觀察下一階段記憶體景氣循環的關鍵。
南亞科（2408）今年資本支出預估將達 500 億元，年增 2.7 倍，創下公司歷史新高，主要用於擴充新廠產能，預計 2028 年上半年可新增約 2 萬片月產能。公司指出，今年資本支出中，約 62 億元為去年預算遞延，其餘約 438 億元中，7 成投入廠務設施、3 成用於設備，實際支出仍待董事會核准。
南亞科指出AI 需求高度集中於 HBM，其單位產能消耗約為一般 DRAM 的 2 至 3 倍，排擠 DDR4、LPDDR4 等傳統產品產能，加上製程一旦升級後不易回頭生產，供給彈性受限，使今年與明年上半年整體供給增加有限。目前市場缺貨仍以 DDR4 與 LPDDR4 最為明顯，南亞科去年第四季這兩類產品產占比已達七成，公司正審慎分配產能、抑制重複下單，預估今年位元成長率可超過 10%。
華邦電（2344）則在去年第四季核准 355.09 億元資本支出預算，涵蓋生產設備、廠務設施與研發設備，資金來源為自有資金及銀行融資，自去年 10 月起陸續投入，主要付款時點落在 2026 年。相關投資將用於擴充高雄廠產能與設備建置，以增加 DRAM 與 NOR Flash 產品產出，預計 2026 年第三季後陸續顯現效益。
華邦電目前高雄廠月產能約 1.5 萬片，全數用於 DRAM 生產，其中 20 奈米製程約占 1 萬片，其餘為 25 奈米製程，並規劃於 2026 年第一季導入 16 奈米製程；台中廠則以 Flash 產品為主，總月產能約 5 萬片，其中 NOR 約 2.5 萬片、NAND 約 1.5 萬片，其餘為傳統型 DRAM。隨著高雄廠擴產及設備投資推進，華邦電預期將逐步提升 DRAM 與 NOR Flash 產出。
旺宏（2337）今年則啟動先前在疫情時核准但尚未全數動用的資本支出計畫。公司過去核准 400 億元資本支出，實際已投入約 180 億元，今年將釋出剩餘 220 億元全力擴張。由於廠房與基礎設施已到位，資金到位後可直接拉進產能投產，具備相對較快的放量條件。旺宏規劃將 12 吋廠月產能由原本約 2 萬片提升至 3 萬片以上，並彈性調度 NAND 與 NOR 產品比重。
在產品布局上，旺宏看好 eMMC 所需的 MLC NAND 市場，在三星停止供應後，市場供給明顯吃緊，目前 19 奈米 2D 及 48／96 層 3D MLC NAND 產線均已準備就緒；NOR Flash 方面，8 吋廠持續滿載生產，公司強調不會減少 NOR 產能，僅新增 NAND 產能將以補足市場缺口為主。
隨記憶體 ASP 回升，DRAM 與 NAND Flash 廠商資本支出重回成長，但國際大廠的投資重心已由擴產轉向製程升級、高層數堆疊、混合鍵合與 HBM 等高附加價值產品，在無塵室空間與新廠建置時程限制下，短期位元產出成長仍相對有限。
而近期美光亦進一步加碼投資，新加坡 NAND 先進晶圓廠總投資金額達 240 億美元，預計 2028 年下半年才開始晶圓產出；若加計先前 70 億美元 HBM 先進封裝投資，美光在新加坡的累積投資已超過 600 億美元，顯示即便國際大廠亦看好 AI 帶動的中長期需求，積極布局以爭取市佔，但新產能實際貢獻仍需 2 至 3 年時間發酵。
