精實新聞 2013-06-17 17:37:54 記者 羅毓嘉 報導
隨著CMOS晶片製程持續演進，濕沈積製程技術供應商Alchimer宣佈將與Imec攜手開發奈米製程互連技術，卡位高階的銅填充解決方案。Alchimer指出，該研發計畫將容許在以7奈米製程生產的晶片上實現無空隙的銅鑲嵌填充，未來Alchimer並規劃進一步將該技術自12吋晶圓製程導入18吋晶圓的生產，持續推動先進製程的技術優化。
Alchimer 公司是矽鑽孔(TSV)、微機電 (MEMS)與太陽能等領域濕沉積技術的領先供應商，其Electrografting(電子接枝)技術專門鎖定奈米層級的薄膜、鑲嵌製程，協助晶片製造商提高產品良率與效能。
Alchimer指出，隨著CMOS晶片等市場需求擴大，製程更演變得更加精細，到14與16奈米以下製程的銅填充技術，必須完全阻絕缺陷與空隙的生成，而過去的物理氣相沈積(PVD)與化學氣相沈積(CVD)製程，已無法達成相關要求，Alchimer的濕沈積技術則透過分子建構原理，突破乾式沈積製程的侷限。
Alchimer在最新的一項研究計畫當中，宣布與Imec攜手合作，卡位20奈米以下製程的聯合研發計畫，將Alchimer的Electrografting技術導入先進製程的銅鑲嵌流程，除藉此驗證Alchimer技術在12吋晶圓製程的成熟度，未來還將繼續推進至18吋晶圓的製程。
Alchimer指出，Electrografting填充技術已被證實可在7奈米製程的晶片上實現無空隙填充，以改善良率及效能，同時與傳統的乾沉積製程相比，該技術因省去了使用價格高昂的PVD與CVD製程設備，將能降低25%至35%的生產成本。
