MoneyDJ新聞 2023-10-12 11:54:58 記者 王怡茹 報導
全球先進製程競賽腳步未歇，供應鏈消息指出，晶圓代工龍頭台積電(2330)下一世代的2奈米布局持續進行中，新竹寶山廠規劃於2024年第二季展開進機，2025年第四季進入量產，初期月產能約達3萬片；而高雄廠也正在著手進行組織編制，預計在N2登場隔一年後量產N2P(2奈米加強版)製程，並採用背面供電技術。
根據台積電先前法說會上透露，公司在N2發展出背面電軌（backside power rail）解決方案，此一設計最適於HPC相關應用。在基線技術之上，背面電軌將使速度提升10%至12%，邏輯密度提升10%至15%。目標是在2025年下半年向客戶推出背面電軌，並於2026年量產，與供應鏈傳言不謀而合。
過去，英特爾(Intel)率先從平面結構電晶體轉向FinFET(鰭式場效電晶體)，隨著製程技術逐步邁向GAAFET架構的MBCFET、BSPDN(背面供電)，包括台積電、三星、英特爾都在積極競爭GAA新世代的領導者位置，更提出相當正向且積極的技術發展藍圖。
根據三星半導體規劃，2025 年將大規模量產 2 奈米，1.4 奈米則預定 2027 年量產；Intel採用 Gate All Around（GAA）技術 RibbonFET 電晶體架構的20A預計2024年上半年進入預備量產，而18A則會在2025年量產。法人表示，台積電的技術層次、穩定量產能力、良率均技高一籌，加上輝達等大廠力挺，料將穩固其霸主地位不變。
