日本產業技術綜合研究所將與美國Intel合作投資設立先進半導體研發中心
據媒體報導，隸屬日本經濟產業省的產業技術綜合研究所（產總研）將與美國Intel合作，投入1,000億日圓設立先進半導體研發中心，預計將在2027年啟用。另將成立管理營運公司，募集製造設備與材料製造商資金，提升半導體材料與設備競爭力，強化供應鏈穩定性，並確保經濟安全。
未來研發中心可能設立地點包括產總研所在在之茨城縣筑波市等關東地區，計劃招聘100名具備半導體先進技術開發經驗的在職及退休技術人員。該研發中心所需資金將主要來自政府補助金，以及協助先進半導體開發之「後5G基金」等，部分資金也將可能來自企業投資。由於EUV設備價格高達數百億日圓，材料與設備製造商自行採購困難，該研發中心將首次在日本研究機構中引進5納米以下先進半導體所需之極紫外光（EUV）曝光設備，未來計劃以使用者付費方式共享EUV設備，企業亦可參與產總研的開發專案。
製造半導體需要超過6,000個工序，先進半導體的生產過程中，材料與設備配合缺一不可。過去日本企業在使用EUV進行研究開發時，通常使用比利時imec等海外研究機構的相關設備。隨著美國對中國出口EUV設備禁令，EUV相關設備與材料成為受審查對象，在海外進行之研究成果與資料攜回日本之相關程序變得更為繁複。
在半導體材料方面，FUJIFILM已在靜岡縣成立下世代半導體材料的開發與生產基地。目前，日本在全球半導體材料市占率達50%，設備市占率為30%，日本政府希望持續擴充研究開發基地，促進半導體材料與設備供應鏈韌性。(資料來源：經濟部國際貿易署)
