MoneyDJ新聞 2015-08-07 15:01:56 記者 郭妍希 報導
英特爾(Intel Corp.)、美光(Micron Technology Inc.)於7月29日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術讓三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix大為緊張。
BusinessKorea 7日報導，3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後，3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。
NAND型快閃記憶體在讀取或寫入資料時，不會直接針對某個記憶體單元動作，而是會讀取一整排的單元、然後選出需要的資訊。相較之下，3D XPoint則可指定特定的記憶體單元、經由電路把資料存入，這些電路被排列成水平與垂直線，其交會點可為每一個單元創造位址。
這種技術能夠輕鬆複製三星獨家生產的3D V-NAND。英特爾指出，3D XPoint能夠建立3D架構、把記憶體單元層層堆疊，而由於這些單元是被擺在電路中間，因此的確能夠設計出一個多層架構、把單元與電路依序堆疊起來。
英特爾預計今(2015)年下半年就能將3D XPoint記憶體原型配送給企業夥伴，還打算在8月18-20日的舊金山開發者論壇(IDF)發布全新產品系列、預計採用3D Xpoint的產品將在2016年問世。BusinessKorea引述業界人士指出，三星、SK Hynix原本認為英特爾的世代記憶體最快也得等到2019年才能量產，怎知英特爾與美光的速度如此之快、讓人大吃一驚，也促使他們加快腳步投資次世代記憶體晶片。
barron`s.com和華爾街日報曾於7月28日報導，3D Xpoint效能較目前應用於多數行動裝置的NAND快閃記憶體快上1千倍，最大特點在於不使用電晶體，改用記憶體材料的性質變化進行存取，讀寫之時，材料會改變性質。這和當前記憶體大不相同，市面記憶體都以電晶體為基本架構，受限於摩爾定律限制。
3D Xpoint介於DRAM和NAND之間。英特爾非揮發性記憶體主管Robert Crooke表示，新技術採用20奈米製程，用現行技術即可生產，不需要新製程。美光記憶體科技主管Brian Shirley稱，採用3D Xpoint的產品將在2016年問世。外界預料將可帶動語音辨識、金融欺詐偵測以及基因組學等新應用。
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