有關Rapidus建廠進度事
依據本(2024)年12月11日日經新聞報導，Rapidus公司會長東哲郎於日本國際半導體展(SEMI Japan)演講時表示，該公司生產2奈米半導體所需設備將在2025年3月底前到位。
該公司之極紫外線(EUV)曝光設備將於本月內運至工廠，EUV曝光設備每台約300億日圓，是生產尖端半導體不可或缺的核心設備。
東哲郎會長表示：「將從2025年4月起啟動試產，實際製造2奈米半導體。再交由客戶進行測試，確認是否能實際使用」，並透露Rapidus為爭取客戶，已與約40家企業展開協商。
預估Rapidus要於2027年實現量產約需5兆日圓資金，並已從經濟產業省獲得共約9,200億日圓補助。東哲郎會長強調：「將儘早令公司脫離政府補助，並將員工薪資提高至(在全球範圍內)令人滿意的程度，同時達成足以支撐此一目標之獲利水準」。(資料來源：經濟部國際貿易署)
