精實新聞 2010-08-10 06:54:59 記者 蔡承啟 報導
日經新聞9日報導，全球第2大記憶體製造商Hynix Semiconductor已利用位於南韓中部的忠清北道清州的工廠開始量產採用20奈米(nm)世代製程的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)，和Hynix現行先端產品(採用32nm製程)相比其生產性可提升60%。據報導，南韓三星電子也已開始量產20nm世代NAND Flash，Hynix落後三星電子約4個月。
報導指出，Hynix此次所採取的實際製程技術為26nm，每片晶片容量為64Gbit，在相同的封裝尺寸內其容量可達現行產品的2倍，將可應用於智慧型手機及平板電腦等產品上。據報導，Hynix今(2010)年設備投資及研發費用總額達3.05兆韓圜(約2,200億日圓)，約為2009年的3倍，且除了NAND Flash之外，Hynix也將加快使用於PC的DRAM細微化腳步。
