MoneyDJ新聞 2021-12-06 06:10:33 記者 蔡承啟 報導
搶攻電動車(EV)商機、日廠忙增產EV用次世代半導體「碳化矽(SiC)功率半導體」，其中東芝(Toshiba)傳出計畫將產量擴增至10倍。
日經新聞3日報導，因看好來自電動車(EV)的需求將擴大，也讓東芝(Toshiba)、羅沐(Rohm)等日本廠商開始相繼增產節能性能提升的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供應\控制電力的「功率半導體」產品，不過使用的材料不是現行主流的矽(Si)、而是採用了碳化矽(SiC)。SiC功率半導體使用於EV逆變器上的話，耗電力可縮減5-8%、可提升續航距離，目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導體。
報導指出，因看好來自EV的需求有望呈現急速擴大，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)」計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的SiC功率半導體產量擴增至2020年度的3倍、之後計劃在2025年度進一步擴增至10倍，目標最遲在2030年度取得全球1成以上市佔率。
另外，羅沐將投資500億日圓、目標在2025年之前將SiC功率半導體產能提高至現行的5倍以上。羅沐位於福岡縣筑後市的工廠內已蓋好SiC新廠房、目標2022年啟用，中國吉利汽車的EV已決定採用羅沐的SiC功率半導體產品，而羅沐目標在早期內將全球市佔率自現行的近2成提高至3成。
富士電機考慮將SiC功率半導體開始生產的時間自原先計劃(2025年)提前半年到1年。
日本研調機構富士經濟(Fuji Keizai)7月9日公布調查報告指出，隨著車輛價格下滑、基礎設施整備完善，長期來看，EV將成為電動化車款的主流，預估2022年EV銷售量將超越HV(油電混合車)，2035年全球EV銷售量預估將大幅擴增至2,418萬台、將較2020年跳增10倍(暴增約1,000%)。
SiC功率半導體需求衝、2030年估跳增2.8倍
富士經濟6月10日公布調查報告指出，自2021年以後，在汽車/電子設備需求加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。
其中，因汽車/電子設備需求加持，來自中國、北美、歐洲的需求揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
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