日本半導體設備商迪恩士紐約州研發中心正式啟用
紐約州政府公告，日本半導體設備商迪恩士(SCREEN)在奧爾巴尼奈米科技綜合園區(Albany NanoTech Complex)先進技術中心SCREEN ATCA正式啟用，有助鞏固紐約州全球半導體創新與製造領導地位。
SCREEN ATCA落腳由半導體研發公私協力機構NY Creates營運之奧爾巴尼奈米科技綜合園區，該園區為北美規模最大、技術最先進半導體研發設施；規劃使用NY Creates新建設施NanoFab Reflection最先進無塵室，計劃在與NY Creates為期10年合作期間前3年投入逾7,500萬美元研發資金。盼透過本計畫鏈結美日高科技機構，使用雙方資源，推動SCREEN在晶圓蝕刻及清洗應用等研發創新。
NanoFab Reflection為全美首座公有高數值孔徑極紫外光微影(High NA EUV Lithography)技術中心，預計本年下半年投入使用；該設施佔地31萬平方英尺，為紐約州半導體策略關鍵一環，係奧爾巴尼奈米科技綜合園區核心項目，將支持數百個新高科技就業，帶動90億美元私人投資，推動擴大與大學、勞動力培訓與全球半導體企業合作。(資料來源：經濟部國際貿易署)
