精實新聞 2013-12-30 13:02:21 記者 陳苓 報導
三星電子(Samsung Electronics)30日宣布，開發出業界首見的8GB、低功耗雙倍資料傳輸率(LPDDR4)的行動記憶體(mobile DRAM)。
ZDNet Korea報導，記憶體銷售暨行銷執行副總Young-Hyun Jun表示，次世代的LPDDR4 DRAM將促成全球行動記憶體市場快速成長，未來在整體DRAM市場中將有最大市佔率。
三星的高速8GB LPDDR4將以20奈米製程生產，每個晶粒(die)有1GB容量，為現今DRAM產品中的最大集成度。新產品採用低電壓擺幅中斷邏輯(low-voltage swing terminated logic)I/O介面，此技術由三星首先向固態技術協會(JEDEC)提出，已成LPDDR4 DRAM的標準規格。依據此一介面，LPDDR4晶片資料傳輸速率可達3,200Mbps，為20奈米製程LPDDR3 DRAM的兩倍；效能也較最快的LPDDR3或DDR3記憶體高出50%；功耗為1.1伏特，用電量約少40%。
