精實新聞 2011-09-29 14:20:15 記者 楊喻斐 報導
全球記憶體龍頭廠三星電子宣布，成功研發30奈米製程4Gb LPDDR3(Low Power Double Date Rate 3)，技術製程大幅領先同業1-2個世代。另外，三星看好行動通訊應用前景，除持續搶佔Mobile DRAM市場之外，也開發出20奈米64Gb NAND Flash平台的高性能嵌入式記憶體(eMMC：embedded Multi Media Card)。
三星電子在搶佔行動終端市場將有進一步的突破！這次於第八屆三星行動解決方案年度論壇會場中展出2項先進技術，均應用於智慧型手機、平板電腦等行動裝置上面，持續拉大與競爭對手的差距。
三星電子儲存事業策略行銷部副社長洪完勳表示，繼去年12月於業界首次發表30奈米4Gb LPDDR2產品之後，現在又成功開發採用30奈米技術4Gb LPDDR3新一代產品，計畫將從第四季開始，為行動終端產品客戶提供樣品進行認證，並將於明年開始出貨。
洪完勳指出，4Gb LPDDR3的啟動速度比米4Gb LPDDR2快1.5倍，資料傳輸量最高能夠提高到12.8GB/秒，隨著資料傳輸速度加快，高性能行動終端產品的最高儲存容量也從2段積層4Gb LPDDR2的1GB(等於8Gb)擴大至4段積層4Gb LPDDR3的2GB(16Gb)，預期未來，市場上大容量記憶體產品比重將會快速增加。
除了Mobile DRAM的最新產品之外，三星電子也推出採用20奈米技術64GB嵌入式記憶體(eMMC)。三星電子儲存事業策略行銷部常務金明鎬表示，此款產品也是針對行動終端市場所研發。該產品為目前業界當中最快速度的記憶體儲存卡，不論是讀取與寫入速度都較原有產品快3倍，且厚度僅為1.4mm、重量0.6g，能夠儲存1萬6千首MP3歌曲。
金明鎬表示，自2010年1月開始，三星電子在業界首次量產30奈米級64GB eMMC，在開拓高容量嵌入式記憶體市場之後，又於去年下半年量產20奈米64GB eMMC，並計畫於今年內，將高性能20奈米64GB eMMC生產率提高至60%，強化高階產品結構。
三星電子規畫於2012年使用JEDEC eMMC4.5標準，量產比20奈米64GB eMMC產品性能提高2倍大記憶體容量產品，創造超高階記憶體儲存市場，擴展NAND Flash市場範圍。
