MoneyDJ新聞 2022-09-08 08:03:31 記者 蔡承啟 報導
日廠第一家，日本昭和電工(Showa Denko K.K.)宣布，使用於碳化矽(SiC)功率半導體的8吋SiC磊晶晶圓(Epitaxial Wafer)已開始進行樣品出貨。
昭和電工7日發布新聞稿宣布，使用於SiC功率半導體的8吋(200mm)SiC磊晶晶圓已開始進行樣品出貨、成為日本國內首家送樣8吋SiC磊晶晶圓的廠商。上述8吋SiC磊晶晶圓使用了昭和電工自製的SiC單晶晶圓。
昭和電工指出，和原先使用矽晶圓的功率半導體相比，SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發熱，來自電動車(EV)、再生能源領域的需求急增，而SiC磊晶晶圓為左右SiC功率半導體性能的關鍵零件。目前SiC功率半導體主要使用6吋(150mm)SiC磊晶晶圓進行生產，而隨著SiC磊晶晶圓大尺寸化、每片晶圓所能獲取的晶片數將變多，有助於提高生產效率、降低成本。
昭和電工表示，該公司為全球最大SiC磊晶晶圓外售廠商。
昭和電工目前已和東芝子公司「東芝電子元件及儲存裝置(ToshibaElectronic Devices & Storage)」、Rohm等多家廠商簽訂SiC磊晶晶圓的長期供應契約。
SiC功率半導體需求旺、2030年估跳增11.8倍
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)5月23日公布調查報告指出，因汽車/電子設備需求擴大，2022年全球功率半導體市場規模(包含矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增11.8%至2兆3,386億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2030年將擴增至5兆3,587億日圓、將較2021年增加1.6倍(增加約160%)。
其中，2022年矽製功率半導體市場規模預估將年增10.0%至2兆2,137億日圓，2030年預估將擴大至4兆3,118億日圓、將較2021年增加1.1倍；2022年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增58.7%至1,249億日圓，之後市場規模將呈現急速擴大，預估2030年將達1兆469億日圓、突破兆圓大關、將較2021年暴增12.3倍。
就次世代功率半導體的細項來看，2022年SiC功率半導體市場規模(包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增59.5%至1,206億日圓，2030年預估將擴大至9,694億日圓、將較2021年暴增11.8倍；2022年GaN功率半導體市場規模預估將年增21.9%至39億日圓，2030年預估將擴大至305億日圓、將較2021年暴增8.5倍；2022年氧化鎵功率半導體市場規模預估為3億日圓、2030年有望擴大至470億日圓。
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