MoneyDJ新聞 2026-09-02 10:06:32 周佩宇 發佈
AI伺服器散熱正從Cold Plate全液冷進一步往晶片封裝端推進。業者指出，Vera Rubin世代全面提高液冷滲透，已是散熱架構的一次重要轉折，但隨下一代AI晶片功耗持續攀升，現有Cold Plate與IHS散熱蓋間的熱阻將成為瓶頸，Microchannel Lid（MCL，微通道上蓋）等技術因此加速開發；另一方面，液冷也開始從GPU、CPU向電源系統延伸，連帶使製程投資、防漏設計及高功率驗證能力成為下一階段競爭門檻。相關台廠包含健策(3653)、奇鋐(3017)、雙鴻(3324)等。
雙鴻董事長林育申表示，Vera Rubin世代進一步走向全液冷本身已是一項突破，下一步則要解決更高熱密度下的熱阻問題。先進封裝結構愈來愈複雜，每增加一層材料及介面，都可能增加熱阻，即使只有攝氏數度差異，在數千瓦晶片上都會放大散熱難度，因此產業正在設法縮短熱源與冷卻介質間的距離。
現階段Cold Plate仍足以因應約4,000瓦以內的高功耗需求，但隨晶片功耗朝7,000至8,000瓦發展，輝達下一代Rack-scale AI系統架構Kyber，功耗將進一步跨入4,000瓦級別，供應鏈在此階段便需開始積極推進Microchannel等新一代散熱技術。林育申表示，雙鴻微通道相關產品目前已有在送樣，但製程及量產仍有不少技術問題待解，依目前開發進度，較有機會於後(2028)年進入量產階段，實際時程仍取決於客戶平台演進。
Microchannel與目前水冷板最大的差異，在於散熱設計進一步往晶片靠近。業界目前討論的方向包括將IHS與微通道結合，甚至讓冷卻液流道更加貼近晶片熱源，以降低中間材料造成的熱阻。不過，要直接在晶片或封裝結構中建立水路並不容易，除了流道設計必須讓不同熱點均勻散熱，也涉及封裝可靠度、漏液、重量、組裝及良率等問題，最終應由散熱廠、系統廠或封裝廠負責整合，目前產業分工也尚未完全定型。
對散熱供應鏈而言，這也代表下一代產品不再只是把既有Cold Plate做得更大。林育申表示，Microchannel涉及IHS、液冷結構及內部流道等多項製程，開發與量產都需要新的設備及資本投入，公司要進入下一階段競爭，供應商必須具備足夠的資本支出能力。隨技術難度提高，預期高階散熱產品平均單價將跟著提升，且可能隨不同技術世代呈現階段式成長。
除了晶片端，電源櫃的液冷散熱也是產業聚焦重點。AI伺服器機櫃功率持續提高後，散熱需求已不再局限於GPU、CPU，電源櫃及供電模組同樣面臨熱密度增加問題，促使散熱廠與電源業者開始共同開發液冷方案。雙鴻表示，目前已投入電源端液冷產品開發，包括水冷板及系統方案，相關研發已與台廠合作夥伴推進，並在擴產規劃中預留電源水冷產能。
因電源液冷的技術要求與運算端並不完全相同。業者指出，水與高壓電力共存在同一系統後，漏液帶來的風險明顯提高，一旦發生滲漏可能直接造成短路，因此電源用Cold Plate在流道、接頭、管線配置及可靠度要求上均需重新設計，生產規格甚至產線配置也可能與GPU、CPU水冷板不同。這也使電源廠與散熱廠之間的共同開發逐漸增加，雙方需要從單一零組件供應進一步走向系統整合。
高功率液冷另一項較少受到市場注意的瓶頸，則是「怎麼測」。隨CDU及整機櫃功率持續提高，傳統散熱實驗室的設備與供電能力逐漸不足，台灣具備高功率測試能力的第三方實驗室排程也日益吃緊。雙鴻表示，公司因此投入自建實驗室，在內部先完成產品測試及問題排除，再送交工研院、UL、萊茵等第三方機構進行最終驗證，以減少反覆送測造成的開發時間。
整體來看，Vera Rubin推動全液冷後，AI散熱產業也轉向更高層次的技術與資本競賽。從Cold Plate、Manifold、CDU一路往Microchannel、IHS與封裝級散熱延伸，同時再向電源端擴張，供應商除製造能力外，還必須同步投入製程設備、系統整合及高功率驗證。隨AI晶片功耗持續提高，散熱在伺服器中的價值量仍有向上空間，但能否跟上平台開發速度及跨過量產可靠度門檻，也將進一步拉開供應商差距。
(圖:資料庫)
