精實新聞 2014-04-03 18:15:32 記者 羅毓嘉 報導
III-V族磊晶廠F-IET(4971)董事長康潤生指出，儘管在低階pHEMT應用面對SOI(絕緣層覆矽)技術的挑戰，F-IET今年砷化鎵、磷化銦、銻化鎵等三大產品線在新舊應用同步開出之下，仍可望維持成長動能，F-IET看好今年度業績表現將優於去年，全年毛利率仍以維持在40%以上、淨利率看20%以上為目標來努力。
F-IET去年營收為5.7億元，年增2.2%，毛利率為42.1%、營益率18.7%，毛利率與營益率較前年的42.5%、21.7%下滑；累計2013年全年，F-IET稅後盈餘為1.05億元，年減10.3%，EPS為3.81元。
觀察F-IET去年產品組合，砷化鎵產品佔比為35.1%(前年為39.7%)，磷化銦佔比為39.4%(前年為40.2%)，銻化鎵與專案勞務營收為22.4%(前年為15.6%)，其他營收佔比為3.1%。
F-IET董事長康潤生指出，去年營收成長有些不如預期，主要因為SOI(Silicon on insulator, 絕緣層覆矽技術)對於pHEMT產品的取代效應，造成部分pHEMT磊晶需求疲軟，不過整體而言F-IET毛利率仍維持在40%以上的「滿意水位」。
康潤生強調，事實上，非行動通訊的高速應用產品仍在快速成長，F-IET認為今年度砷化鎵磊晶仍有成長空間，而磷化銦與銻化鎵的高毛利率產品也將搭上雲端、光纖通訊需求增加的列車，整體而言，三大產品線今年均有動能，今年業績可望優於去年。
就獲利能力來看，康潤生指出，F-IET今年產品組合可望持穩，全年度毛利率料可維持40%以上，淨利率則以逾20%為目標努力。
F-IET副總經理范振隆則說明，SOI技術的主要競爭對象僅為低階的pHEMT磊晶，對於F-IET聚焦的高階產品影響性小，F-IET今年將以砷化鎵磊晶片鎖定超高頻的光纖通訊應用元件，以及汽車防撞雷達元件等；而磷化銦磊晶片則將在雲端計算、資料庫、資料傳遞等攻城掠地，同時F-IET已切入銻化鎵基板的長晶基板(Substrate)材料，做上下游的垂直整合，未來還可以平面列陣(FPA)產品取代II-VI族的化合物半導體市場。
康潤生強調，F-IET在日本有磷化銦的客戶已開始導入量產，而銻化鎵產品則要努力跨出國防專案型的應用，導入商業量產應用，將可進一步打開出貨量。
