MoneyDJ新聞 2014-10-31 11:56:32 記者 陳苓 報導
記憶體價格血流成河的慘況，明年應該不會上演！韓媒etnews報導，製造商和市場趨勢都顯示，明年DRAM和NAND Flash供需情況將維持穩定，記憶體業有望一路好到2015年。
etnews報導，三星電子(Samsung Electronics)30日反駁記憶體市場可能有供給過剩問題，該公司主管Lee Myeong-jin表示，明年記憶體增產有限，預估需求和供給將維持穩定，並直說無意掀起價格戰。
與此同時，SK海力士(SK Hynix)23日預估，明年DRAM和NAND Flash位元成長率(bit growth)分別為24-26%、40%。該公司內部人士透露，DRAM大廠將調整產品組合，衝刺利潤，而非擴產拼產能。
美光(Micron)9月也預估，明年DRAM和NAND Flash位元成長率各為21-26%、37-46%。半導體高層指出，如果DRAM和NAND Flash位元成長率分為20%、40%，表示記憶體供需狀況非常穩定。
路透社先前報導，產業研究機構DRAMeXchange指出4GB DRAM平均報價十月上半部上漲2.34%，它預期在手機與伺服器需求持續成長的狀況下，DRAM還有進一步漲價的空間。
SK海力士總裁Kim Joon-ho在23日法說會上表示，預期第四季DRAM出貨季增率將介於14~16%、NAND晶片介於24~26%。展望明年，海力士將專注於利潤極大化，而不再只是一昧追求市佔率上的表現。
路透社13日報導，三星電子(Samsung Electronics Co.)執行長兼副董事長權五鉉(Kwon Oh-hyun；見圖)表示，半導體產業明年不會爆發價格戰，絕對不會出現「懦夫博弈(game of chicken)」現象。
韓媒etnews 7日報導，三星半導體產線短期內產能充足，突然增建平澤新廠引發不少揣測。股市分析師稱，三星沒有理由加速生產，很有可能是為了配合當局政策才作出決定。南韓京畿道政府資料顯示，京畿道知事Nam Gyeong-pil 8月曾與三星接班人李在鎔以及副董事長權五鉉(Kwon Oh-hyun)會面，要求三星增加投資。
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