MoneyDJ新聞 2015-07-13 07:53:00 記者 新聞中心 報導
隨著半導體產業朝更先進製程發展，宜特(3289)宣布，經過一整年的衝刺，旗下材料分析檢測技術再獲突破，至今年已突破10奈米製程，不僅能協助多間客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證，其技術能量更深獲IEEE半導體元件故障分析領域權威組織IPFA(積體電路失效分析論壇)肯定，於會議期間發表最新研究成果。
宜特分析，近年來，企業為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智能產品之需求，各大廠在先進製程開發的腳步越來越快，已從去年20奈米製程，邁入今年的14奈米製程；其中，包括台積電、英特爾與三星等大廠，更預計陸續於明年進入10奈米以下的量產階段，因此帶動整個供應鏈的TEM分析需求。
宜特進一步指出，繼去年佈建業界EDS元素分析能力最強的TEM設備，聘僱多位博士級的TEM專家，如鮑忠興博士等國內頂尖TEM權威，經過一整年的衝刺，不僅產能大躍進，其檢測分析能量更是從去年14奈米，向下突破至10奈米製程，更深獲多間客戶如LED磊晶廠、半導體設備廠與晶圓代工廠的肯定，使整體檢測產能滿載，下半年持續擴產以因應客戶需求。
宜特材料分析工程部經理陳聲宇表示，公司材料分析技術能量有目共睹，更獲得IPFA肯定，於本月舉行的會議中，發表「利用高準確性的TEM/EDS技術分析先進NAND flash產品」之論文；此成果可應用於先進半導體製程中介電層材料(dielectric layer)的分析之上。
陳聲宇指出，先進製程的介電層材料，往往脆弱而易在分析過程中遭受損傷，分析難度相當高；而宜特運用業界最高規格的TEM/EDS機台，並充分優化實驗參數，成功在介電層材料遭受損傷前，迅速完成訊號的收集，得到準確的元素分佈資訊，提供研發工程師改善製程時，最有力的依據；因此，才能在短時間內，成為客戶在研發階段，提昇開發競爭力的最佳夥伴。
