精實新聞 2012-09-12 08:59:39 記者 郭妍希 報導
韓國聯合通訊社(Yonhap)報導，三星電子(Samsung Electronics Co.)11日宣布，位於中國大陸西安的10奈米NAND型快閃記憶體(NAND Flash)製造廠將會開始動工，預期可在明(2013)年底興建完成，並於2014年起開始投產。三星希望分散生產線的所在地並滿足日益高漲的NAND Flash需求。
三星指出，該公司一開始會投入23億美元的資金，未來幾年的興建支出將會達到70億美元，使西安廠成為三星有史以來投資額最高的海外晶片製造廠。三星目前在德州奧斯丁市擁有另外一座海外半導體廠房。
三星曾經表示，西安之所以雀屏中選，是因為該城市擁有良好的工業與資訊科技基礎建設。這樣的環境可讓三星輕鬆取得水電，並可和相關企業進行研發工作。
2x奈米NAND Flash供應短缺，已迫使美國固態硬碟(SSD)製造商飢餓鯊科技開創股份有限公司(OCZ Technology Group Inc.)下修財測。飢餓鯊9月5日於美國股市收盤後公佈2013會計年度第2季(6-8月)初步財報：營收將介於1.1-1.2億美元之間，低於先前預期的1.3-1.4億美元。飢餓鯊9月6日在上述消息的衝擊下大跌了18.84%。
飢餓鯊科技執行長Ryan Petersen指出，8月有部分NAND型快閃記憶體(NAND Flash)元件「嚴重短缺」，在整個業界普遍都有供應吃緊的現象，使得飢餓鯊無法充分取得2x奈米MLC NAND Flash。飢餓鯊旗下的Vertex、Agility系列產品都需要用到2x奈米MLC NAND Flash。
