三星權五鉉:標準型DRAM未來兩季供過於求

2010/09/07 18:58

精實新聞 2010-09-07 18:58:25 記者 楊喻斐 報導

第七屆三星行動解決方案年度論壇於9月7日登場,親自來台的三星電子半導體事業部社長權五鉉,藉由這次的機會與中外媒體記者進行聯訪。談到近期的記憶體景氣,權五鉉坦言,PC端的需求相當疲軟,該應用領域的記憶體從第四季到明年第一季恐將出現供過於求,反觀智慧型手機、伺服器應用需求強勁,供需仍吃緊。

DRAM價格在今年第一季突破3美元高點之後,隨即向下滑落,進入第三季,市場利空消息不斷釋出,首先英特爾下修第三季財測,接下來國內NB代工廠廣達(2382)、仁寶(2324)以及組裝代工龍頭鴻海(2317)均下調第三季展望;除了NB/PC終端市場需求疲弱不振之外,企業的換機潮的效應也未如預期,衝擊DRAM價格跌跌不休,供過於求疑慮浮現。

三星半導體拿下全球35%記憶體市佔率,談到記憶體產業的現狀以及展望後市。權五鉉表示,對於三星本身來說,PC市場需求明顯下滑,但在伺服器、智慧型手機、電視的記憶體(DRAM)需求仍暢旺,供需維持吃緊,也由於公司產品線分佈廣泛,因此雖然有些產品線差,但仍有些產品線表現不俗,預估第三季DRAM出貨量仍將可以較第二季持續成長。

權五鉉坦言,標準型記憶體應用(DRAM)仍以PC/NB為大宗,現階段該部分的需求疲弱不振,接下來必須觀察歐美的感恩節、聖誕節的銷售旺季效應如何,不過預期從第四季到明年第一季恐將會有供過於求的情況發生。

在DRAM製程的進度上,權五鉉表示,三星目前以40奈米製程為主,預計今年底就會開始量產32奈米。

另外,三星位於韓國華城的Line-16廠房日前舉行破土典禮,該廠房將為月產能20萬片的12吋晶圓廠,主要生產DRAM、NAND Flash以及次世代的記憶體產品。市場認為,三星藉由這次的大舉擴產,在DRAM的市佔率將由35%跳升至50%的水位。

對此,權五鉉回應表示,市佔率非公司追求的目標,最重要的是為顧客創造最大的價值以及差異化的競爭力,而市佔率則是為顧客創造價值所帶來的成果。

關於NAND Flash的部分,權五鉉指出,智慧型手機、平板電腦為支撐NAND Flash價格走勢的最大動力,讓相關應用的NAND Flash價格表現持穩,但預期後市將小幅走跌,還不致於會出現急遽下跌的走勢,因為還會有新的應用、新的需求將會陸續浮現。

權五鉉也說,三星半導體在NAND Flash製程上面已經從30奈米轉為20奈米,預計明年20奈米技術將會成為市場主流。

綜觀3C三大產業,權五鉉表示,NB/PC未來市況有待觀察,預期平板電腦明年將會持續成長;通訊市場的部分仍會持續擴大,尤其看好智慧型手機的成長力道;消費性電子產品則以電視為最大宗,待下半年的銷售成績出爐後,明年度的展望才可望轉趨明朗。

另外,市場也相當關心三星集團明年喊出30兆韓元資本支出的話題。權五鉉表示,30兆韓元的數字他也是第一次聽到,這個金額應該是分散在各個事業群以及包括投入OLED(有機發光半導體),而半導體事業部比重會佔多少,尚不清楚,至於今年度半導體事業的資本支出則為100億美元。

個股K線圖-
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