MoneyDJ新聞 2018-11-05 10:38:47 記者 蔡承啟 報導
韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix Inc.)於4日宣布，已成功研發出較現行3D架構NAND型快閃記憶體(Flash Memory)進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK海力士表示，現行大多數廠商都在3D NAND上採用CTF(Charge Trap Flash、電荷儲存式快閃記憶體)，而SK海力士則是在CTF架構上追加「PUC(Peri Under Cell)」技術，研發出全球首款堆疊96層的512Gb 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)4D NAND Flash產品。
SK海力士指出，和現行72層512Gb 3D NAND Flash相比，4D NAND Flash的晶片尺寸縮小3成、每片晶圓的生產性增至1.5倍，讀速、寫速分別提升30%、25%。
SK海力士幹部表示，「將在今年內量產4D NAND Flash、且計畫利用最近完工的清州工廠M15產線進行正式量產」。
SK海力士計畫在今年內發表採用4D NAND Flash、容量為1TB的消費性固態硬碟(SSD)產品。
根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間5日上午10點00分為止，SK海力士大跌3.03%至70,400韓圜；SK海力士上週五(2日)股價飆漲6.30%，收72,600韓圜、創約1個月來(10月1日以來)新高水準。
SK海力士10月25日公布2018年第3季(Q3)財報：營收年增41%(季增10%)至11.417兆韓圜、創歷史新高；營益年增73%(季增16%)至6.472兆韓圜；營益率年增11個百分點(季增3個百分點)至57%；純益年增54%(季增8%)至4.692兆韓圜。
IHS Markit 3月28日公布，2017年SK海力士的全球半導體市場排名自2016年的第五名升至第三名。SK Hynix 2017年營收增幅居前20大廠商之冠，營收年增81.2%至266.38億美元。
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