MoneyDJ新聞 2026-02-24 08:54:50 郭妍希 發佈
荷蘭半導體設備業龍頭艾司摩爾(ASML Holding N.V.)研究人員透露，發現全新方式，可提升關鍵晶片製造設備的光源功率，預計可在2030年底前讓晶片產量提升最多50%。
路透社23日獨家報導，ASML極紫外光(EUV)微影機台光源技術長Michael Purvis接受訪問時表示，「這不是戲法、也並非甚麼只能短時間展示的花招。」「這套系統能在客戶原先要求的環境下，產生1,000瓦的功率。」
目前EUV機台的光源功率約在600瓦左右。上述技術主要優勢在於把更高功率轉化為每小時生產更多晶片的能力，這可降低每顆晶片的成本。
晶片的製造過程與沖印照片類似，作法是將EUV光源投射在塗有光阻劑(photoresist)這種特殊化學物質的矽晶圓上。有了更強的EUV光源，就能縮短晶片廠需要的曝光時間。
ASML旗下NXE系列EUV機台執行副總Teun van Gogh對路透表示，「我們希望客戶能以低廉許多的成本，持續使用EUV機台。」他預計，到了2030年底，客戶每小時可利用每台EUV機台生產約330片矽晶圓，高於現在的220片。依據晶片尺寸的不同，每片晶圓可容納數十到數千顆晶片。
ASML ADR 23日聞訊逆勢上漲1.12%、收1,485.99美元，創歷史收盤新高；年初迄今漲幅已達38.9%。
美國正在努力提升相關領域的競爭力。川普政府將對嘗試改進EUV微影技術的晶片雷射新創商xLight挹注1.5億美元資金，期盼透過政府補貼支持本土的戰略產業。華爾街日報、路透社報導，美國商務部去(2025)年12月表示，政府注資1.5億美元後將換取xLight股權。此舉可能讓美國政府成為xLight最大股東。
XLight僅希望改善EUV製程的一項關鍵零件：將複雜微影像蝕刻到矽晶圓(經化學處理)的雷射光源。XLight希望能將其雷射光源整合到ASML機台。
ASML目前使用的最先進雷射，產生的極紫外光波長約為13.5奈米。XLight希望產出更為精確的雷射波長，最低可至2奈米。這樣的精確度，能幫助晶片商在矽晶圓刻蝕出更微小的線路。
(圖片來源：ASML)
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