MoneyDJ新聞 2026-08-31 10:54:50 黃立安 發佈
光通訊廠華星光(4979)持續擴大InP雷射晶片布局,除既有CW Laser受惠AI資料中心高速傳輸需求成長外,EML也於今年下半年投入量產,預計2027年進一步放大量。公司同步推進晶圓尺寸由2吋轉向3吋、4吋,並持續提高產品功率、傳輸速率及波長數,配合廠區與無塵室擴建,強化從晶片、封裝至模組測試的垂直整合能力。
華星光指出,AI資料中心Scale-out需求快速成長,帶動高速光模組及光源需求同步提升。其中CW Laser主要搭配矽光子應用,2026年相關模組市場出貨量估約8,100萬顆,若以每個模組使用2~8顆CW Laser估算,全年CW Laser需求規模約達4億顆;EML相關模組全年則估約1,800萬至2,000萬顆,換算EML需求約1.6億顆,主要鎖定高性能、高功率及長距離傳輸市場。
產品布局方面,華星光表示,CW Laser目前已可做到16個波長,相較市場常見單波或4波產品,多波長產品具一定利基市場優勢,毛利表現也相對較佳。EML方面,公司團隊具備100G Lane EML量產經驗,相關製程逐步成熟,今年下半年開始投入量產,並持續擴充設備與產能,為2027年較大量生產預作準備。
在晶圓製程方面,華星光過去以2吋為主,目前逐步轉向3吋,產品涵蓋70mW、100mW CW Laser,以及100G、200G EML,後續並規劃CW Laser結合SOA、功率達400mW的產品。公司預期2027年將以3吋為主流,並逐步往4吋發展,目前也已展開4吋至6吋自動化產線規劃。隨產線持續擴充,Chip月產能預計今年底可達600萬顆,至2027年底有機會進一步提升至1,200萬顆,產能再翻倍。
配合產品線擴張,華星光也重新規劃生產基地,原總公司廠區將逐步轉為InP Chip Fab,涵蓋Wafer Fab及Die Fab;八德廠則規劃集中DCI模組的組裝與測試,吉林廠後續可作為NPO等先進封裝產品生產基地。華星光表示,預估2027年底整體無塵室空間可達約1.3萬平方米,2028年並保留進一步擴建空間。