2011年DRAM產業回顧,六大事件受矚目

2011/12/28 10:35

精實新聞 2011-12-28 10:35:28 記者 楊喻斐 報導

2011年即將畫下句點,2011年對於動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)產業實屬充滿不確定性因素的一年,原本業者期待2年的好光景非但落空,反而遭受到比2008年金融海嘯更加嚴峻的環境。回顧2011年DRAM產業,研究機構集邦科技整理六大重要事件,包括價格崩跌、減產風潮、新世代製程加速更迭、產業積極轉型以及日本311強震、泰國半世紀以來洪災所帶來的衝擊。

回顧2011年,對於DRAM產業而言更加艱困,不僅是天災頻傳,陸續造成DRAM供給與需求的衝擊以外,由於PC產業受到平板電腦崛起所造成的生態變化,對DRAM的消耗量產生重大的影響,消費者追求輕薄的硬體需求,另對DRAM的需求大幅趨緩,並改採NAND Flash設計,亦造成下半年供過於求的嚴峻態勢。

針對2011年的DRAM產業,集邦科技整理出六大重要事件:第一,統計今年以來,DRAM合約顆粒價格跌幅達58%,現貨價格跌幅更高達70%。以DDR3 2Gb合約顆粒價格自5月高點2.13美元下跌迄今約0.88美元,跌幅達58%,而現貨市場價格更從年初2.32美元下滑至0.7美元,跌幅更高達70%,直逼2008年金融風暴低點。

第二,2011年下半年開始DRAM廠陸續宣佈減產,由於DRAM顆粒價格跌幅過大,甚至已跌破現金成本,爾必達率先宣布減產開第一槍,緊接著其他DRAM廠也跟進下宣佈減產,減產幅度高達21%,其中台系DRAM廠投片減幅甚至高達44%,影響最大。

第三,次世代製程轉進難度增加,且更迭速度加快,使得DRAM廠差距逐步擴大。由於製程轉進伴隨著的是龐大的研發費用,如三星已逐漸跨入20nm製程,海力士與爾必達則是於下半年積極轉進30nm製程,反觀台系廠商仍停留在40nm甚至50nm製程,如此差距下,台系廠仍苦思未來發展方向。

第四,日本311大地震重創DRAM產業上游供應鏈。日本東北大地震衝擊,衝擊矽晶圓的供給及後續限電的措施,當時全球DRAM產出造成影響,尤其以越後半導體的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠影響最為嚴重,亦讓當時的矽晶圓的產出充滿不確定的因素,但缺貨的疑慮很快隨著矽晶圓廠的復工而消散,導致DRAM價格於5月份起一路下滑至年底。

第五,台系DRAM廠逐步退出標準型DRAM市場,轉型代工及非標準型DRAM業務。標準型DRAM市況嚴峻,台系DRAM紛紛退出市場,如茂德(5387)因財務問題大幅減產,力晶(5346)轉型代工及非標準型DRAM業務,南科(2408)與華亞科(3474)則是減少投片以求渡過DRAM產業寒冬。

第六,泰國洪災衝擊硬碟供應鏈,進而影響PC出貨甚至DRAM價格。泰國發生半世紀以來最嚴重的洪災,進而波及硬碟出貨,其中以WD受創最為嚴重,Seagate及Hitaichi雖未受到嚴重衝擊,但也因當地交通中斷導致出貨不順,整體全球所造成的缺口約在10-20%,所幸惡水已退出,相關業者也展開復工之路,預估硬碟的缺口將在2012年2月逐漸復原。

個股K線圖-
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