精實新聞 2012-06-29 18:28:33 記者 王彤勻 報導
聯電(2303)今(29日)正式宣佈，已取得IBM的授權技術，將以FinFET 3D電晶體，促進次世代尖端20奈米CMOS製程的開發。雙方達成協議，IBM將授權其20奈米設計套件以及FinFET技術給聯電，加速聯電推出上述製程的時程。
聯電先進技術開發副總陳一浸表示，對於這次與世界知名技術領導者IBM所進行的協議感到十分高興，聯電身為全球晶圓專工領導者，必須掌握先機適時推出尖端製程，以協助客戶實現其次世代晶片設計。而借重IBM的專業技術，縮減公司的20奈米與FinFET研發週期，可望為聯電與其客戶創造雙贏。
聯電與IBM的協議內容，包括IBM的20奈米CMOS與FinFET技術。聯電內部自行研發的20奈米平面(planar)製程，將與IBM的設計規則與製程/元件目標同步，而未來聯電的FinFET技術，則將針對行動運算與通訊產品，進一步強化低耗電技術，此項研發也將於聯電位於南科的研發中心進行。
