精實新聞 2012-09-14 18:50:06 記者 萬惠雯 報導
工研院IEK產業分析師彭茂榮指出，全球記憶體市場到2020年時規模可望上看1000億美元的水準，台灣雖然在DRAM市場上敗陣，但目前主流的DRAM以及Nand flash在製程進入1Xnm以下即會面臨瓶頸，下世代記憶體如PCM、STT-MRAM、PRAM將開始在2016年起趨於成熟，並可望取代目前主流的記憶體，台廠若可在小而美的利基型/SoC產品搶先佈局，還可望在下世代記憶體市場尋求翻盤的機會。
依估計，全球半導體市場約有3000億美元，而其中記憶體市場約有600億美元的水準，台灣目前記憶體在全球市占率約6%，但到2020年時，全球記憶體市場規模可望上看1000億美元的水準。
而在目前主流的DRAM以及Nand flash的部分，彭茂榮指出，2006-2020年兩者分別的年複合成長率為48%以及75%，二年後Nand flash的市場即會超過DRAM，而目前DRAM已進入2Xnm、Nand在2013年進入1Xnm，預計到2017年時，DRAM也將進入1Xnm的時代，但到了1Xnm以下的時代，製程微縮將遇到重大挑戰，也嚴重影響記憶體成本、容量以及效能。
也因此，針對下世代記憶體，包括PCM、STT-MRAM、PRAM等，國際大廠已紛開始佈局，彭茂榮指出，這三個下世代記憶體各有其優缺點，其中PPAM具有最快的速度、成本和省電優勢，可取代Nand flash；STT-MRAM則有速度和省電優勢，但成本不及Nandf lash，以取代DRAM為目標；PCM成本優於DRAM和NOR flash，但仍較耗電，以取代Nor flash為目標。
至於國際大廠，目前三星已預計將於2015年將RRAM和STT-MRAM商品化，非記憶體廠商如SONY、HP以及中國的中科院和民間企業也在進行研究，在台灣，目前則包括有旺宏(2337)、華邦電(2344)以及台積電(2330)已針對下世代記憶體進行研究。
彭茂榮指出，台灣擁有全球第一的晶圓代工以及專業封測產業，IC設計也是全球第二名的地位，客製化設計服務能力強，雖無法與三星在記憶體產業投入的資本支出以及對下世代記憶體的研發支出相抗衡，也缺少出海口以及上下游垂直整合能力，但若可鎖定小而美的利基型/SoC產品，強調客製化以及設計彈性，還可望在下世代記憶體市場尋求翻盤的機會。
