精實新聞 2012-12-06 07:37:32 記者 萬惠雯 報導
國際電子元件大會IEDM即將於12月10日至12日在美國舊金山舉行，今年旺宏(2337)共有5篇論文入選，更超過台積電(2330)4篇論文的入選，篇數居台灣業界之冠，其中，兩篇更獲得大會評選為焦點論文(Highlight Paper)。另外，即將於2013年二月舉辦的國際固態電子電路會議ISSCC，旺宏也將領先發表全球首篇6 bit/cell快閃記憶體研究成果。
旺宏表示，今年獲選為IEDM焦點論文的兩篇研究成果，其中一篇所提出的MiLC(Minimal Incremental Layer Cost)製程工法，將眾多且複雜的位線(Bit Line)以「階梯式」的架構形成對外的連接點，簡化了數據傳輸管道的安排，大幅降低3D記憶體製造過程中所需使用的光罩數目。
旺宏表示，以往傳統製程每完成一個元件接腳開孔(Bit Line Contact)皆需使用1道光罩，32個接腳開孔即需32道光罩，但利用MiLC的獨特技術，只要5道光罩即可達到同樣的效果，從降低製造成本的觀點來看，具有重大意義。
另外一篇則是探討快閃記憶體的自我缺陷修復(Self-Healing)技術，旺宏表示，快閃記憶體在經過高壓操作重複的編寫及抹除後，材料缺陷的產生將無可避免，導致產品有一定的使用期限，但旺宏提出一個嶄新的想法，即提供適當的電流造成區域性的熱源，藉此熱源修復材料的缺陷，不僅可恢復元件既有的功能，同時還能延長元件的壽命。
旺宏表示，此機制有如「幹細胞」之於人體，可以自我修復後天的殘缺，並可使元件達到上億次編寫及抹除，約為現有先進快閃記憶體規格的十萬倍以上。
旺宏總經理盧志遠(見圖)表示，旺宏12年來在IEDM發表的論文超過45篇，尤其近年來更經常成為IEDM論文篇數發表最多的台灣企業，今年大會特別推薦的11篇焦點論文中，旺宏就佔了兩篇，甚至超越國際指標性大廠。
