MoneyDJ新聞 2016-04-18 15:16:48 記者 陳苓 報導
Bernstein Research先前痛批三星電子心狠手辣，意圖在記憶體界趕盡殺絕，剷除SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)，剩下一家獨大。對此，Brean Capital看法不同，Brean Capital較為樂觀，認為業者為了追求利潤，DRAM和NAND Flash產出不致失控；並指出智慧機的記憶體需求大增，價格將逐漸回穩。
巴倫(Barronˋs)網站、韓媒etnews報導，Brean Capital的Mike Burton表示，英特爾的大連工廠改為3D NAND Flash廠，預定今年下半投產。由於三星已經開始生產3D NAND，其他業者也陸續跟進，不少人擔心可能會供給過剩。Burton認為，各廠應會有所節制，攜手追求最大利潤。
Burton並指出，目前只有三星有能力製造3D NAND，其他業者要到今年下半才開始生產。3D NAND採用較舊製程(35~50奈米)，業者能以較低成本、提高產能。英特爾主管David Lundell表示，預計大連廠會在今年底量產3D NAND。
DRAM方面，Burton預期需求飆升，價格將逐漸穩定。舉例而言，蘋果iPhone 6s內建DRAM加倍，增至2GB。iPad Pro記憶體也增至4GB。高階Android機種記憶體達3GB，三星S7更內建4GB DRAM。
美光15日上漲2.79%收在10.69美元，不過今年迄今仍大跌24.51%。
巴倫(Barronˋs)網站兩篇報導指出，Bernstein分析師Mark Newman表示，製程微縮難度高，美光和SK海力士都在20奈米遇到瓶頸，原先預期記憶體產出將因此大減，沒想到三星在一旁虎視眈眈，趁著對手碰壁時，奪取市佔。DRAM僅剩三大廠，通常產業整合後，大家會較為節制，結果三星非但沒鬆手，還想把DRAM市佔從當前的40%、提高至近50%。
三星透過拉大技術差距，搶下市佔，DRAM方面，三星增加20奈米產出、並將擴大量產18奈米。在NAND領域也強化了3D NAND的領先地位。Newman痛批，三星行為投機、比預想更為激烈，完全不顧對手，或許會永久摧毀同業間的信任感。他估計，三星可能是DRAM業的唯一倖存者。
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