印度氮化鎵（GaN）半導體材料新創公司AGNIT Semiconductors探索未來3至5年在無線通信、充電和電動汽車等領域之應用商機
依據印度媒體Digi Times Asia報導，位於班加羅爾印度科學理工學院（Indian Institute of Science，IISc）育成中心之新創公司AGNIT Semiconductors正探索未來3至5年在無線通信、充電和電動車等領域之應用商機，將鎖定無線發射器、5G網路及電源管理等產品。
AGNIT首席執行長兼聯合創始人Hareesh Chandrasekar表示，該公司由材料科學家、工業設計工程師和應用技術人員所組成，擁有先進技術。渠亦看好氮化鎵較矽及砷化鎵等其他材料具有效率與性能優勢，如商用5G網路每個基地台都使用1個功率放大器，將低功率信號轉換為傳輸所須之高功率輸出，氮化鎵轉換效率約為60~65%，高於砷化鎵或矽等舊技術之40%。
氮化鎵之效率亦可應用於電動車之電源管理上，可提供更高之功率密度及更快充電速度，該公司對此技術於電動車之應用潛力亦表達高度興趣。
作為一家垂直整合製造商，AGNIT可根據客戶需求定製設備，以降低成本及開發時間，在性能優化、成本管理及快速供貨等均具備優勢。(資料來源：經濟部國際貿易署)
