MoneyDJ新聞 2026-10-19 07:38:56 李彥瑾 發佈
韓國記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）傳出將首度採用台積電（2330）3奈米製程，生產輝達（NVIDIA）新一代客製化高頻寬記憶體（HBM）「NVHBM」的邏輯基底晶片（Base Die），打破過去由自家晶圓代工部門包辦生產的一條龍模式。
《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）18日引述業界消息報導，輝達要求三星、SK海力士及美光三大記憶體供應商，統一採用台積電3奈米製程製作NVHBM基底晶片，記憶體核心晶片（Core Die）則使用第六代1c DRAM製程，以確保產品一致性，並簡化驗證程序。
輝達認為，若三大供應商採用不同製程，可能導致NVHBM效能出現差異，並增加產品驗證負擔，因此要求統一製程規格。三星經內部評估後，決定配合輝達的技術要求。
值得注意的是，三星早在四年前便曾與台積電合作，確保HBM與GPU整合時，能相容台積電的先進封裝製程。不過，當時合作僅涉及封裝相容性，此次是雙方首度將合作延伸至HBM晶片製造階段。
NVHBM是輝達今年8月發表的新一代客製化HBM，以第七代HBM4E架構為基礎，由輝達自行定義基底晶片的控制器及介面規格。
三星供應超微（AMD）等其他客戶的客製化HBM，仍將維持自家製造模式。業界人士透露，三星也正評估利用自家晶圓代工製程生產NVHBM基底晶片的可行性，以因應未來台積電產能可能不足的情況。
（圖片來源：shutterstock）
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