精實新聞 2014-05-22 09:53:44 記者 萬惠雯 報導
創意(3443)宣佈旗下DDR4 IP已採用台積電(2330)16nm FinFET(16FF) 製程技術並成功通過晶片驗證，成為創意第一個採用台積電16FF製程技術的IP。此代表先進技術設計人員能夠儘快展開新一代裝置設計工作的絕佳良機。
創意表示，全新的16FF DDR4 PHY IP運作速度高達每秒3.2 gigabytes (Gbps)，比DDR3 IP提高了50%，而且同一速度時的功耗降低了25 %。此IP完全發揮了台積電16FF製程的優勢，外部迴路測試上(external loopback)達到3.5Gbps的高速並且以2.7Gbps的高速成功讀寫2.4Gbps規格的DDR4 DRAM。
此 IP與 DDR4 DRAM連接時，在同一速度下，相較於同一規格的28nm DDR3 IP，可降低40%核心功耗。創意16FF DDR4 IP已於今年4月22日台積電北美技術研討會(TSMC North America Technology Symposium)上首度亮相。
創意表示，16FF DDR4 IP內建PHY自動訓練模式，不但容易啟動、可節省驗證時間而且可使資料擷取定位(data strobe positioning)達最佳化。此測試晶片(test chip)是採用日月光(2311)的覆晶封裝(Flip Chip package，FCBGA)技術以及南電(8046)製造的增層覆晶載板(multi-layer build up substrate)。新IP未來可能運用於各種高速網路架構和伺服器應用。
