精實新聞 2012-05-10 13:15:19 記者 羅毓嘉 報導
砷化鎵晶圓代工廠穩懋(3105)總經理王郁琦指出，化合物半導體(compound semiconductor)在通訊應用面越來越廣，對於技術需求亦持續提昇，穩懋作為全球砷化鎵晶圓代工領先龍頭，已領先同業切入包括銅柱覆晶(Cu Pillar Flip-chip)等先進製程的開發，而為因應4G基地台的高頻傳輸需求，穩懋針對新一代的GaN(氮化鎵)材料亦已展開佈局，料將推升穩懋的長線成長動能。
穩懋總經理王郁琦表示，行動通訊裝置的設計已演變得更加精密，容納的功率放大器(PA)頻譜越來越多，體積卻必須持續縮微，射頻(RF)元件的散熱問題，成為砷化鎵元件設計廠亟欲克服的難題。
針對此一問題，王郁琦指出，當前技術是以鍍上2至4微米的金箔層來導熱，只是金價維持高檔，穩懋已開發出以價格相對低廉的銅材料作為元件基層，透過銅柱覆晶製程生產的功率放大器產品，導熱效率可獲大幅度提昇，協助客戶解決模組散熱問題。
穩懋的銅柱覆晶製程目前已通過內部的製程認證(processing qualification)，正在積極與客戶進行產品認證(product qualification)，由於穩懋在此製程屬於業界領先者，成為穩懋的競爭利器。至於銅柱覆晶製程何時可產生營收貢獻，王郁琦則認為，配合封裝廠的研發進度，應在2015年左右，就有機會看到砷化鎵元件設計廠大量導入此製程。
另一方面，隨著4G時代逐漸來臨，對於高頻、低能耗的基地台建置需求也益發殷切，王郁琦表示，相較於砷化鎵，氮化鎵(GaN)材料操作電壓可以達到3倍，電流則可以達到2倍，不僅傳輸效率更好，散熱效果變高，模組體積也會變小，最適合在高功率運作狀況之下應用，穩懋針對GaN材料元件的製作也已投入研發。
王郁琦說明，手機基地台之間的傳輸(cellular backhaul)多是用光纖做連結，不過埋設光纖的成本相當高昂，若將基地台之間以高頻段高功率(12-42 Ghz)的無線傳輸模組連結，基地台網絡建置成本將大幅降低，而在此領域的領導廠商華為和Ericsson，都可能會用到穩懋的GaAs與GaN高階技術。
隨著智慧型手機和平板電腦往4G通訊規格遷移的趨勢，穩懋的先進縮微製程技術更已就位。除在pHEMT的高階0.25微米製程領先競爭同業，生產技術也已率先往0.1微米遷移，由於4G/LTE用的功率放大器需以0.25微米以下製程生產，法人看好穩懋在4G/LTE功率放大器的市場，將持續其領導地位。
王郁琦表示，穩懋產品的支援功率從0.1GHz到100GHz都有，發展多元化的技術策略就是穩懋的成長根基。王郁琦表示，支援更多的應用和產品市場，不靠單一的製程技術和單一市場甚至單一客戶，將有效分散穩懋營運風險，並在各市場攻城掠地，推升長期成長。
累計今年前4月，穩懋合併營收為35.82億元，較去年同期勁揚42.1%。穩懋Q1稅後盈餘4.55億元，年增44.7%，EPS 0.7元。
