MoneyDJ新聞 2020-12-01 11:49:10 記者 郭妍希 報導
三星電子副會長李在鎔(Lee Jae-yong)今(2020)年10月
出訪歐洲、拜會艾司摩爾(ASML)執行長Peter Wennink等人後，傳出Wennink也禮尚往來，於上週訪問三星，希望能促成極紫外光(EUV)微影設備的合作案。(圖為三星V1晶圓代工生產線)
Business Korea 1日報導，Wennink等ASML高層上週訪問了三星半導體廠，討論EUV微影設備的供給與發展合作案。業界內部人士相信，三星要求ASML供應更多EUV微影設備，雙方並討論開發次代EUV設備的合作事宜。
身為全球唯一一家EUV設備製造商的ASML，目前對台積電(2330)的供貨量高於三星。三星希望跟ASML合組科技聯盟，取得更多次世代EUV微影設備。ASML也有跟三星投資合作的必要，因為次代EUV設備需要大量研發資金。
三星希望投資高數值孔徑(high-numerical aperture, High-Na)EUV設備的開發案，這種設備可改善半導體微製程所需的電路解析度，一台設備要價5,000億韓圜，是目前款式的2-3倍。ASML計畫2023年年中推出設備原型，三星希望趕在台積電之前取得設備，爭取技術領先。
不過，三星一名官員透露，雙方並未在會議上達成投資決定。ASML高層只是應李在鎔10月份的邀請前來三星訪問。ASML高層也拜訪SK海力士(SK Hynix)總裁李錫熙(Lee Seok-hee)，消息顯示他們討論了要如何擴大供應EUV設備、促進合作。
三星盼兩年後趕上台積電
三星傳出已對次世代晶片事業(包含晶圓代工業務)砸下1,160億美元，希望最快兩年後趕上台積電。外電11月17日
報導，三星一名資深執行主管10月曾在一場必須受邀參加的會議上透露，2022年有望量產3奈米製程晶片。台積電也預定2022年下半年量產3奈米晶片。
三星計畫採用閘極全環場效電晶體(Gate-All-Around FET, GAAFET)，能更精準地控制通道電流、縮小晶片面積、降低耗電量。台積電3奈米晶片則是採較成熟的鰭式場效應電晶體(FinFET)架構。SK Securities分析師Kim Young-soo表示，三星選擇的GAA技術，台積電預料2024年會使用在2奈米製程，惟時間也許會提前至2023年下半年。技術上來說，三星有望在台積電投產2奈米晶片前、於2023年扭轉局面。三星能否擴充市占的關鍵，在於該公司能拿到多少台EUV微影設備。
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