MoneyDJ新聞 2014-09-18 11:34:47 記者 陳苓 報導
三星電子(Samsung Electronics)18日宣布，開始量產業界首見的6Gb 20奈米製程LPDDR3行動DRAM。該公司表示，低耗能產品可讓高畫質的大螢幕行動裝置，電池續航力更長、運算速度更快。
三星新聞稿稱，6Gb(gigabit)的LPDDR3數據傳輸速度為2,133 Mbps。3GB版的LPDDR3晶片組由4個6Gb LPDDR3晶片組成，適用於各種行動裝置。新品比現行的3GB LPDDR3體積縮小20%、耗電量減少10%。目標在高階智慧手機、平板電腦、穿戴裝置等搶下一席之地。
新品採用三星的新20奈米製程，生產力提升30%。該公司已在3月率先採用20奈米製程生產個人電腦用的4Gb DDR3，如今產品領域拓展至行動DRAM。
韓聯社報導，三星電子8月27日宣布開始量產業界首見的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via、TSV)封裝的DDR4模組，速度較前代快上一倍，用電量卻只要一半。星公關主管Kim Ki-hoon表示，TSV技術能直接傳送數據，可大幅提升效率。新推出的DDR4為64GB，供伺服器使用，由36個四層晶片組成，每個晶片內含4個4 gigabit DRAM。三星表示，TSV技術還能堆疊更多晶片，模組容量可大於64GB。
三星稱量產TSV DRAM模組可讓該公司稱霸高階DDR4 DRAM市場，也能為今年下半推出的次世代中央處理器，提供高效解決方案，該公司將於下半年生產64GB以上的高階DDR4模組。三星估計，今年全球DRAM市場達386億美元，其中伺服器需求約佔20%，預估雲端運算盛行會帶動高階DRAM需求。
