MoneyDJ新聞 2018-05-24 10:48:32 記者 陳苓 報導
三星電子衝刺製程微縮，22日發布發展藍圖，估計7奈米今年下半投產，之後將陸續轉進5奈米、4奈米、甚至3奈米，挑戰物理極限。
三星電子新聞稿(見此)稱，三星的7奈米製程「7LPP」(7nm Low Power Plus)，將是首個使用極紫外光(EUV)微影技術的半導體製程，預定今年下半投產。關鍵IP正在研發，預定2019年上半完成。
SamMobile網站猜測，7奈米製程將用於生產明年問世的Galaxy S10智慧機處理器。
三星表示，7奈米後是5奈米的「5LPE」(5nm Low Power Early)，會以7LPP為基礎發展，晶片尺寸再縮小、用電量續減。
再來是4奈米的「4LPE/LPP」，這是採用「鰭式場效電晶體」(FinFET、見圖)的最後一代製程，將以5LPE為基礎，可以更快提高良率。
最後是3奈米的「3GAAE/GAAP」(3nm Gate-All-Around Early/Plus)，3奈米製程將採用全新的「環繞式閘極結構」(Gate All Around、簡稱GAA)，用環繞式的電網取代鰭狀結構，可以克服FinFET的微縮限制。三星正在研發的自家的GAA技術，名為「MBCFETTM」(Multi-Bridge-Channel FET)，能改善對閘極(gate)的控制，提升晶片性能。
Techspot網站稱，三星並未說明何時能夠量產3奈米製程，外界估計3奈米可能要到2022年才會問世。
Android Authority去年底報導，製程微縮除了需擁抱EUV，也需開發FinFET技術接班人。電晶體運作是靠閘極控制電流是否能夠通過，不過晶片越做越小，電流通道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來FinFET恐怕不敷使用，不少人認為GAA是最佳解決方案。
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