MoneyDJ新聞 2026-09-29 11:22:43 新聞中心 發佈
綜合港媒及陸媒報導，中國國產動態隨機存取記憶體(DRAM)龍頭長鑫科技(688825.SH)擬進一步動用超募資金擴大研發及產業化投入，項目總投資達到349億元(人民幣,下同)。長鑫科技昨晚(28日)發布關於使用部分超募資金投資建設新項目公告，擬使用超募資金130億元投資新建技術研發項目，同時擬透過增資和借款方式向全資子公司長鑫存儲產品(合肥)有限公司提供超募資金50億元，投資新建記憶體晶圓後段測試基地二期專案。
公告顯示，長鑫科技此次IPO最終募集資金淨額為663.10億元，其中超募資金為368.10億元。截至目前為止，公司尚未使用超募資金，本次擬使用180億元，占超募資金規模的近一半。其中，技術研發專案計畫總投資241億元，建設週期30個月，實施地點位於中國安徽省合肥經濟技術開發區新橋科技創新示範區長鑫12吋記憶體晶圓製造基地內；公司擬使用超募資金130億元，主要用於設備購置，設備購置費在專案總投資中的占比達到92.94%。
另一個專案則指向記憶體晶片的後段測試環節。公告顯示，長鑫科技擬投資建設「長鑫存儲產品(合肥)有限公司記憶體晶圓後段測試基地二期專案」，專案總投資108億元，建設週期37個月，計畫建設一座測試工廠，為DRAM記憶體晶片提供測試及模組組裝。公司擬透過向全資子公司長鑫存儲產品(合肥)有限公司增資和提供借款的方式投入50億元超募資金，其中50億元主要用於設備購置及安裝。
對於建設後段測試基地，長鑫科技於公告中表示，隨著公司產能持續提升、產品種類增加，未來可能面臨外部封測廠測試產能不足及新增投資配套不足的問題。透過自建後段測試和模組專案，公司可以更加靈活協調測試產能，降低DRAM晶片測試成本，並進一步完善IDM模式。
從資金投向來看，此次180億元超募資金並非單純擴充晶圓製造產能，而是同時加碼技術研發與後段測試兩個環節。一方面，公司希望透過研發投入推動DRAM產品和製程持續更迭；另一方面，透過補充後段測試能力，進一步強化從前道製造到後段測試的產業鏈整合。
技術儲備方面，長鑫科技公告指出，截至今(2026)年6月30日，公司擁有4,484項中國境內專利和3,400項境外專利，研發人員7,491人，占員工總數超過33%。公司目前已實現第五代製程技術平台量產，並覆蓋DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等產品。此次180億元超募資金投入完成後，長鑫科技仍將保留約188億元超募資金。依照公告，公司將在相關審批程序完成後開立募集資金專用帳戶，並根據專案實施進度逐步投入資金。
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