MoneyDJ新聞 2026-08-31 11:31:22 黃立安 發佈
SEMICON Taiwan國際半導體展於今(31)日率先舉行矽光子論壇，市場對CPO及矽光子關注持續升溫，現場座無虛席。其中，全球光通訊大廠Lumentum技術長Matthew Sysak(附圖)出席論壇演講時表示，AI模型複雜度持續提升，帶動硬體、光收發模組及連接技術不斷升級，而功耗與成本將成為大規模部署的關鍵，公司持續推進InP雷射技術，超高功率雷射輸出已由400mW進一步突破1W，並同步朝多波長發展，以因應CPO需求。
Lumentum為NVIDIA CPO光源合作夥伴之一，Sysak指出，公司2025年宣布以超高功率雷射支援NVIDIA Spectrum-X CPO交換器。對CPO架構而言，雷射功率愈高，所需要的外部雷射模組數量就愈少，不僅可簡化交換器面板與封裝，也有助降低整體部署成本，因此持續提高雷射功率具有直接的經濟效益。
Lumentum第一代超高功率雷射輸出約400mW，插座效率(wall-plug efficiency)約20%，並具備窄線寬及低RIN(Relative Intensity Noise，相對強度雜訊)等特性；至OFC 2026時輸出功率更提高一倍以上，在25°C條件下輸出已突破1W。Sysak指出，若從目前資料中心常見約100mW等級的雷射來看，1W看似相當高，但Lumentum長期累積泵浦雷射及長距離光通訊技術，具備持續提高雷射功率的技術基礎。
除提高功率外，Lumentum也同步朝多波長推進。今年OFC展示16通道DWDM方案，將相同的超高功率雷射技術擴展至16個波長，單波長雷射功率約350mW，在200GHz網格間距下，16個波長相對目標網格的精準度可達±25GHz，並維持窄線寬與低RIN特性，為未來多波長矽光子架構提供光源。
高速調變方面，Lumentum持續推進InP EML技術，2025年已展示單顆400Gbps EML，2026年再將相同技術發展為差動架構並整合至收發器。Sysak表示，InP雷射特別適合多波長應用，也能與矽光子良好搭配，隨矽光子生態系持續擴張，InP將成為支撐相關光源與高速調變需求的重要材料平台。
針對未來整合式雷射與外部雷射的發展，Sysak則指出，兩者所面對的技術與成本條件並不相同。目前外部雷射從光源到晶片約存在4至5dB的光學損耗，因此提高外部雷射功率、減少ELSFP數量有助降低封裝成本；但未來若雷射直接整合至晶片附近，所需雷射規格與經濟模型都將不同，整合式雷射與現有外部雷射最終可能走向不同的技術路線。
而隨單通道資料速率持續朝400G以上推進，Sysak認為，更高速率及更多訊號階數都會壓縮訊號雜訊比(SNR)，因此系統將需要更多光子，也意味對雷射功率的需求持續增加，不過他認為雷射技術仍可持續提升，以支援下一代高速光互連需求。
