MoneyDJ新聞 2026-08-31 11:38:14 黃立安 發佈
SEMICON Taiwan國際半導體展今(31)日於開展前率先舉行矽光子論壇，會中Lumentum技術長Matthew Sysak(附圖)表示，除既有InP雷射與矽光子生態系外，公司正將長年累積於3D感測的GaAs VCSEL技術導入AI Scale-up互連，並將波長推進至1060nm，目前展示的I/O Chiplet雙向頻寬已達32Tbps。
Sysak指出，AI Scale-up同時面臨頻寬、運算域規模及機櫃功耗三項挑戰。隨單一機櫃可容納的GPU數量受到供電限制，更多AI加速器必須跨機櫃連接，使低功耗、高密度光互連的重要性快速提升。相較InP主要支援高速、多波長及矽光子生態系，GaAs VCSEL的優勢則來自成熟的量產供應鏈、測試能力及晶圓產能。
Lumentum過去藉由手機3D感測建立龐大的VCSEL量產基礎，累計出貨超過20億組發射器陣列，若以單顆發射器計算，更達數百億顆規模。Sysak表示，現今已進一步將VCSEL波長推進至1060nm，並結合晶粒堆疊技術，使發射器可整合至矽中介層及CPO架構。
目前Lumentum展示的I/O Chiplet具備8組收發單元，每組約64個通道，整體可提供約32Tbps雙向頻寬，VCSEL與光偵測器可直接堆疊於晶片上。可靠度方面，相關元件測試已超過5,000小時，實驗室操作溫度更可超過150°C；此外，公司也自行開發GaAs光偵測器，以建立完整GaAs光收發生態系，並與康寧(Corning)合作高密度光纖束。
值得注意的是，對於Micro LED與VCSEL何者更適合下一代AI光學I/O，Sysak直言，關鍵並非單純比較技術優劣，而是「技術成熟度」。目前Lumentum展示的VCSEL單通道可達32Gbps，並可進一步提升至64Gbps，相較之下，他指出Micro LED目前約3Gbps，兩者速度存在顯著差距。
Sysak表示，若要解決高密度互連問題，除單顆元件速度外，也必須考慮在有限二維面積內需要配置多少發射器，以及相關技術能否趕上客戶實際部署時程。目前VCSEL搭配約40至50微米等級銅柱間距的堆疊技術已可實現，現階段真正需要思考的是，「當客戶需要這項技術時，哪一項技術已經準備就緒」。
