面臨美國製造設備出口管制的中國半導體產業，正加速國產替代步伐，以應對強勁的AI基礎設施需求。然而，在頂尖設備領域，雖傳出成功研製出浸潤式深紫外光曝光機（DUV），但對先進製程至關重要的極紫外光曝光機（EUV），外界評估其自主研製還需經歷10至15年。
