精實新聞 2014-04-25 16:48:13 記者 王彤勻 報導
記憶體廠商華邦電(2344)於今(25)日召開法說會，繼日前預估今年資本支出CAPEX相較於去年的21億元，將大幅拉高至86億元後，今日則是再宣布，要將今年資本支出調高至106億元之譜。對此總經理詹東義(見附圖)指出，此次調高資本支出，主要是華邦電希望同時進行往4X奈米先進製程的升級，以及擴充目前吃緊的產能。預期今年底前，華邦電的月產能將從去年底的3.3萬片，增加到4萬片的水準。
華邦電於上回法說會上才宣布，去年資本支出為21億元，但因產能不足，公司計劃今年資本支出將大幅提升至86億元，預計月產能將由3.3萬片增加到3.8萬片的水準，今日則是經董事會通過，要再加碼今年的資本支出。
詹東義說明，今年華邦資本支出大增的原因，並非像很多業者，可能是希望搭上海力士大火的順風車來擴建產能、搶短線需求，而是由於華邦實在看到很多市場的機會，盼能在DRAM、Flash都推出更廣泛的產品線來掌握這些機會，因此決定拉高資本支出，同時升級產能與製程。
相對於南科(2408)宣佈已轉進3X奈米製程，詹東義指出，南科主攻大容量的DRAM，華邦電則是切入中低容量DRAM的市場，因此製程可以比其慢一個世代。而今年的資本支出，主要是用於將DRAM製程轉進4X奈米、Flash則轉進58奈米等製程的升級工作，冀紓解現有產能吃緊的窘境。
他強調，華邦走的路將不同於其他台灣同業，不是一味的強調製程微縮，而是強調某些特殊產品的功耗與性能。
在產品結構部分，華邦電今年Q1 Specialty DRAM佔營收比重52%，季成長為6%、年成長35%，主因網通、硬碟產品出貨增加，且產品均價隨著記憶體市況漸趨健康而小幅上揚。Mobile DRAM今年Q1則佔華邦營收比重12%，季成長17%、年增4%，主要是受益於46奈米製程產品營收貢獻增加，以及華邦於512Mb及1Gb的Low Power DDR1出貨增加。
而在NOR Flash部分，今年Q1營收佔比為36%，與前季持平、年增2%。華邦表示，主要是此部分市場價格競爭狀況雖持續，但已有減緩跡象，且華邦於高密度產品的出貨增加，因此表現相對持穩。
值得注意的是，在上述三大產品線，華邦往先進製程的轉移工作也鴨子划水、持續綻放成果。其中，Q1 Specialty DRAM已有53%的營收比重屬於46奈米製程，Mobile DRAM更有60%的營收比重來自46奈米製程，而Flash Memory亦有53%的營收比重來自58奈米製程。
